講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-12-02 16:05
論理シミュレーションにもとづいたNBTI劣化過渡解析の高速化手法 ○森 一倫・名倉 徹・飯塚哲也・浅田邦博(東大) ICD2014-109 CPSY2014-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-109 |
抄録 |
(和) |
負バイアス温度不安定性(NBTI)劣化が,微細化されたトランジスタにおいて重要な信頼性問題のひとつとなっている.本論文では,反応・拡散モデルを用いたNBTIシミュレーションにおいて,論理シミュレーション結果にもとづいて各トランジスタにおけるゲート酸化膜中の水素分布を計算することにより,高精度なNBTI劣化過渡解析を実現する.NBTI劣化の周波数依存性を用いることで,例えば1秒間のシミュレーション結果を1年間のシミュレーション結果へと加速変換する方法についても提案する. |
(英) |
Negative Bias Temperature Instability (NBTI) degradation is one of the important problems in nano-scale transistors.In this paper, we propose an accurate transient simulation method of NBTI degradation based on Reaction-Diffusion model by calculating hydrogen distribution at gate oxide in each transistor according to the gate input level obtained by logic simulations. We also propose an acceleration scheme of NBTI simulation based on the frequency dependence of NBTI degradation and recovery, that can extend a simulation results of one-second duration into one-year results. |
キーワード |
(和) |
負バイアス温度不安定性 / 反応・拡散モデル / 信頼性 / モデリング / 劣化加速シミュレーション / / / |
(英) |
Negative Bias Temperature Instability / Reaction-Diffusion model / reliability / modeling / accelerated aging simulation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 345, ICD2014-109, pp. 141-145, 2014年12月. |
資料番号 |
ICD2014-109 |
発行日 |
2014-11-24 (ICD, CPSY) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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