講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-30 13:15
超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 ○松本 敦(NICT)・武井勇樹(早大)・赤羽浩一(NICT)・石川 浩・松島裕一・宇高勝之(早大) OCS2014-58 OPE2014-102 LQE2014-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2014-102 LQE2014-76 |
抄録 |
(和) |
光論理ゲート素子の実現に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作製し、その基本的な特性を評価した。実験結果と解析結果の違いからピエゾ効果を仮定したところ、ピエゾ電界が生じていることを示唆する実験結果が得られたが、ピエゾ電界強度は予想よりも小さく25 kV/cm程度であり、歪補償技術により抑制されていることがわかった。 |
(英) |
In this paper, we fabricated the QD-SOA consisting of the 20-layer-stacked QDs structure with the strain-compensation technique for the purpose of all optical logic gate device, and measured the fundamental characteristics of the QD-SOA. Investigating the difference between experimental and the simulation results, we obtained another experimental results indicating the piezoelectric effect. And we found that the amplitude of piezoelectric field was restricted by the strain-compensation technique, and it was about 25 kV/cm. |
キーワード |
(和) |
光論理ゲー / 量子ドッ / 半導体光増幅器 / ピエゾ効果 / / / / |
(英) |
Optical Logic Gate / Quantum Dot / Semiconductor Optical Amplifier / Piezoelectric effect / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 281, OCS2014-58, pp. 87-91, 2014年10月. |
資料番号 |
OCS2014-58 |
発行日 |
2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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