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講演抄録/キーワード
講演名 2014-10-30 14:30
高密度dc電流注入に基づく半導体全光ゲートの応答速度向上効果とエネルギー消費効率の研究
板垣 元南出雄佑長広憲幸坂口 淳上野芳康電通大OCS2014-50 OPE2014-94 LQE2014-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2014-94 LQE2014-68
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文献情報 信学技報, vol. 114, no. 282, OPE2014-94, pp. 43-47, 2014年10月.
資料番号 OPE2014-94 
発行日 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OCS2014-50 OPE2014-94 LQE2014-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2014-94 LQE2014-68

研究会情報
研究会 OCS OPE LQE  
開催期間 2014-10-30 - 2014-10-31 
開催地(和) 長崎歴史文化博物館 
開催地(英) Nagasaki Museum of History and Culture 
テーマ(和) 超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般 (ECOC報告) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2014-10-OCS-OPE-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高密度dc電流注入に基づく半導体全光ゲートの応答速度向上効果とエネルギー消費効率の研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Studies on upper limit of all-optical semiconductor gate's cutoff frequency after optically accelerating more strongly, along with enhancing current injection rate for compensating for thus accelerated electron-hole recombination rate. 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 板垣 元 / Hajime Itagaki / イタガキ ハジメ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 南出 雄佑 / Yusuke Minamide / ミナミデ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長広 憲幸 / Kazuyuki Nagahiro / ナガヒロ カズユキ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂口 淳 / Jun Sakaguchi / サカグチ ジュン
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上野 芳康 / Yoshiyasu Ueno /
第5著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-10-30 14:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OPE 
資料番号 OCS2014-50, OPE2014-94, LQE2014-68 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.281(OCS), no.282(OPE), no.283(LQE) 
ページ範囲 pp.43-47 
ページ数
発行日 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) 


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