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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 14:55
65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価
大島 梓岸田 亮籔内美智太郎小林和淑京都工繊大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-79 ICD2014-48
抄録 (和) 近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい
る。本研究では, 65nm バルク・SOTB (Silicon On Thin BOX)プロセスにおいて, 発振経路の一ヵ所にアンテナを接続したリングオシレータ回路の
初期発振周波数を測定した。そのシミュレーション値と測定値の差を変動量としてしきい値電圧の変動量に換算して, アンテナダメージの影響を評価した。その結果, SOTBプロセスにおいて, アンテナをドレインに先かゲートと同時に接続するドレイン接続構造はダメージ緩和に有効で
あるが, アンテナの周囲長が大きいとダメージを緩和できない。ドレイ
ン接続構造はアンテナ比に伴ってしきい値電圧が増える。 
(英) Reliability issues, such as plasma-induced damage (PID) and Bias Temperature
Instability (BTI), become dominant on integrated circuits. We measure
initial frequencies on ring oscillators with an antenna in
one stage in 65-nm bulk and SOTB (Silicon On Thin BOX) processes. Initial frequency variations
are converted to threshold voltage shifts. Impacts on initial
frequencies and threshold voltages by PID are evaluated. We show that PID can be relieved using the
drain-connection-structures in which an antenna is connected to drain
first or at the same time as a gate, but the amount of relaxation of
PID becomes small when an antenna has a big perimeter.
We also reveal that threshold voltage increases with antenna ratio in the
drain-connection-structures.
キーワード (和) アンテナダメージ / FD-SOI / BTI / リングオシレータ / 発振周波数 / しきい値電圧 / 信頼性 /  
(英) plasma-induced damage / FD-SOI / BTI / ring oscillator / frequency / threshold voltage / reliabilty /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 175, ICD2014-48, pp. 93-98, 2014年8月.
資料番号 ICD2014-48 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034)

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Initial Frequency Degradation on Ring Oscillators in 65-nm SOTB Process Caused by Plasma-Induced Damage 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) アンテナダメージ / plasma-induced damage  
キーワード(2)(和/英) FD-SOI / FD-SOI  
キーワード(3)(和/英) BTI / BTI  
キーワード(4)(和/英) リングオシレータ / ring oscillator  
キーワード(5)(和/英) 発振周波数 / frequency  
キーワード(6)(和/英) しきい値電圧 / threshold voltage  
キーワード(7)(和/英) 信頼性 / reliabilty  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 梓 / Azusa Oshima / オオシマ アズサ
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸田 亮 / Ryo Kishida / キシダ リョウ
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 籔内 美智太郎 / Michitarou Yabuuchi / ヤブウチ ミチタロウ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第4著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
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講演者
発表日時 2014-08-05 14:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2014-79,IEICE-ICD2014-48 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.93-98 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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