講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-04-18 10:30
[招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発 ○福田寿一・小原弘治・堂坂利彰・武山泰久・緑川 剛(東芝)・橋本健二・脇山一郎(TOSMEC)・宮野信治・北城岳彦(東芝) ICD2014-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-12 |
抄録 |
(和) |
65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA(27fA/b)を達成した。quarter array activation scheme(QAAS)とcharge shared hierarchical bit line(CSHBL)を適用し、動作時電力は、25μW/MHzを達成。このSRAMのリーク電流は低電力MCUのディープ・スリープ・モードの電流に比べて無視できるほど小さいため、SRAMの全てを、ディープ・スリープ・モードの時でさえ通電させておくことが可能になった。 |
(英) |
Low leakage 128kb SRAM with 65 nm technology that consumes only 3.5nA (27fA/b) in the retention mode is fabricated. Operation power consumption is also reduced to 25μW/MHz by adopting quarter array activation scheme(QAAS) charge shared hierarchical bit line(CSHBL). Its leakage current is negligible small compared to the deep sleep mode current of the low power MCU, all of SRAMs in the chip can be awaken even in the deep sleep mode. |
キーワード |
(和) |
SRAM / Low Lekage Current / MCU / XLLSRAM / QAAS / CSHBL / / |
(英) |
SRAM / Low Lekage Current / MCU / XLLSRAM / QAAS / CSHBL / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 13, ICD2014-12, pp. 59-64, 2014年4月. |
資料番号 |
ICD2014-12 |
発行日 |
2014-04-10 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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