講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-03-05 13:50
薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 ○三枝樹規・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2013-162 |
抄録 |
(和) |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源電圧0.4Vという超低電圧で動作し、基板バイアス効果によりトランジスタの閾値を大きく変動させることが可能である。この特性を利用することで、高閾値のみで回路設計をした後、回路内の高速動作が必要な部分のみ基板バイアス効果を用い閾値を下げることでマルチVthを実現する手法が提案された。本研究ではその手法に関して、より汎用的な設計手法を提案しそれに対する評価を行った。また、提案する設計手法とマルチVthとの比較も行った。 |
(英) |
Silicon on thin BOX(SOTB) is one of FD-SOI device.It is possible to operate with ultra-low voltage of 0.4V and greatly change the threshold voltage of a transistor by body biasing.So far, a design technique that realizes multi-vth using body biasing has been proposed.After designing the circuit which consists of only high threshold transistors, the threshold voltage is lowered only at the area which needs high-speed operation by applying body bias.In this research, we proposed a versatile design methodology and performed the evaluation for it.We show a comparison of a multi-Vth design and the design methodology that we proposed. |
キーワード |
(和) |
薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / マルチVth / リーク電力 / / / / |
(英) |
Silicon-on-Thin-BOX / Body Bias / Multi Vth / Leakage Power / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 454, VLD2013-162, pp. 153-158, 2014年3月. |
資料番号 |
VLD2013-162 |
発行日 |
2014-02-24 (VLD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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