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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-03-05 13:50 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 ○三枝樹規・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2013-162 |
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| 抄録 | （和） | 薄膜BOX-SOI（Silicon on Thin BOX:SOTB）はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源電圧0.4Vという超低電圧で動作し、基板バイアス効果によりトランジスタの閾値を大きく変動させることが可能である。この特性を利用することで、高閾値のみで回路設計をした後、回路内の高速動作が必要な部分のみ基板バイアス効果を用い閾値を下げることでマルチVthを実現する手法が提案された。本研究ではその手法に関して、より汎用的な設計手法を提案しそれに対する評価を行った。また、提案する設計手法とマルチVthとの比較も行った。 |
| （英） | Silicon on thin BOX(SOTB) is one of FD-SOI device.It is possible to operate with ultra-low voltage of 0.4V and greatly change the threshold voltage of a transistor by body biasing.So far, a design technique that realizes multi-vth using body biasing has been proposed.After designing the circuit which consists of only high threshold transistors, the threshold voltage is lowered only at the area which needs high-speed operation by applying body bias.In this research, we proposed a versatile design methodology and performed the evaluation for it.We show a comparison of a multi-Vth design and the design methodology that we proposed. | |
| キーワード | （和） | 薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / マルチVth / リーク電力 / / / / |
| （英） | Silicon-on-Thin-BOX / Body Bias / Multi Vth / Leakage Power / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 454, VLD2013-162, pp. 153-158, 2014年3月. | |
| 資料番号 | VLD2013-162 | |
| 発行日 | 2014-02-24 (VLD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2013-162 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
| 開催期間 | 2014-03-03 - 2014-03-05 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2014-03-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design methodology on Dynamic Multi-Vth control technique for Silicon on Thin Buried Oxide(SOTB) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜BOX-SOI / Silicon-on-Thin-BOX |
| キーワード(2)（和/英） | 基板バイアス / Body Bias |
| キーワード(3)（和/英） | マルチVth / Multi Vth |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電力 / Leakage Power |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三枝 樹規 / Tatsuki Saigusa / サイグサ タツキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-03-05 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2013-162 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.454 |
| ページ範囲 | pp.153-158 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-24 (VLD) |
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