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講演抄録/キーワード
講演名 2014-01-24 15:05
PdNi合金薄膜パターンを有するSQUIDの電気的特性
谷口壮耶伊藤 大石川航太赤池宏之藤巻 朗名大SCE2013-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2013-55
抄録 (和) 我々はSQUID上にPdNi合金薄膜パターンを持つ構造のデバイスを作製し、PdNi合金パターンがSQUIDの電気的特性に与える影響について調査を行った。PdNi合金はPdとNiの同時スパッタによって堆積し、リフトオフ法もしくはArイオンミリングによってパターンを形成した。SQUIDの外部磁場特性をPdNi合金パターン形成前後で比較したところ、SQUIDの冷却中に磁場を加えることによって位相がシフトすることを確認し、超伝導位相シフタを実現した。またNi割合が4 at%となるPdNiを用いた場合ではSQUIDのインダクタンスの増加が得られた。 
(英) We fabricated SQUIDs with PdNi alloy thin film patterns, and measured the electrical characteristics of the SQUIDs. The PdNi alloy thin films were deposited by co-sputtering of Pd and Ni. The PdNi films were patterned by Ar ion milling or in the lift-off process. We evaluated the effect of PdNi patterns by comparing the characteristics with or without the PdNi patterns. The phenomenon of flux biasing, or, phase shift was observed in the external-magnetic-field dependence of SQUID critical current, when using field-cooling of SQUIDs with PdNi patterns, and the superconducting phase shifter was successfully demonstrated. We also found that the inductances of SQUIDs were increased by using Pd$_{0.98}$Ni$_{0.04}$ alloy.
キーワード (和) SQUID / PdNi / 位相シフタ / インダクタンス / / / /  
(英) SQUID / PdNi / phase shifter / inductance / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 401, SCE2013-55, pp. 117-121, 2014年1月.
資料番号 SCE2013-55 
発行日 2014-01-16 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SCE2013-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2013-55

研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2014-01-23 - 2014-01-24 
開催地(和) 機械振興会館地下3階2号室 
開催地(英) Kikaishinkou-kaikan Bldg. 
テーマ(和) 薄膜、デバイス技術及びその応用、一般 
テーマ(英) Thin film, device technologies and their applications, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2014-01-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) PdNi合金薄膜パターンを有するSQUIDの電気的特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) The electrical characteristics of SQUIDs with PdNi alloy thin film patterns 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SQUID / SQUID  
キーワード(2)(和/英) PdNi / PdNi  
キーワード(3)(和/英) 位相シフタ / phase shifter  
キーワード(4)(和/英) インダクタンス / inductance  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷口 壮耶 / Soya Taniguchi / タニグチ ソウヤ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 大 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 航太 / Kouta Ishikawa / イシカワ コウタ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-01-24 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SCE 
資料番号 SCE2013-55 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.401 
ページ範囲 pp.117-121 
ページ数
発行日 2014-01-16 (SCE) 


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