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講演抄録/キーワード
講演名 2014-01-23 11:00
HTS薄膜を積層した高磁場耐性HTS-SQUIDの開発
廿日出 好吉田圭佑鹿毛孝浩鈴木健文田中三郎豊橋技科大SCE2013-39 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2013-39
抄録 (和) 本研究では,環境磁場中での安定・低ノイズ動作を可能とするため,高磁場耐性を有するHTS-SQUIDマグネトメータの開発を行った.薄膜線幅が全て5 $micro$mとなるメッシュ構造を有するHTS-SQUIDマグネトメータを設計・試作し,同様のメッシュ構造をもつHTS薄膜をフリップチップで積層し,上記SQUIDの特性をDCおよびAC磁場中で測定した.DC磁場を印加した場合,SQUIDの臨界電流Icは約140 $micro$Tの磁場が印可されるまで変化しなかった.これは積層したHTS薄膜のマイスナー効果によるものと考えられる.10 MHzのAC磁場が印可された場合,SQUIDの変調深さVppやノイズレベルは,薄膜が積層された場合,積層のないSQUIDと比較して,より小さな磁場強度で特性の劣化が見られた. 
(英) In this paper, we describe recent results to develop robust HTS-SQUIDs based on bicystal SrTiO3 (STO) substrates and YBa2Cu3O7-x (YBCO) films. An alternative HTS film with mesh structure was fabricated and employed to cover an SQUID ring of a HTS-SQUID magnetometer with the same mesh structure in a flip-chip configuration. We expected the film would work as a superconducting shield to suppress change of the critical current Ic of the SQUID due to environmental magnetic noise, including the Earth’s field. We applied DC and AC magnetic fields to the SQUID, in order to measure the SQUID’s parameters such as Ic, voltage depth Vpp, flux noise level, and threshold DC field, at which the Ic was changed. Many of the SQUID’s parameters were improved with the HTS film. As for the threshold DC field, Ic of the SQUID changed at a DC field greater than about 140 T with the HTS film. In an AC field at 10 MHz, the voltage depth Vpp and flux noise level of the SQUID with the HTS film degraded at lower amplitude of the AC field than the bare SQUID without the HTS film.
キーワード (和) HTS-SQUID / 高磁場耐性 / HTS薄膜 / ジョセフソン接合 / マイスナー効果 / / /  
(英) HTS-SQUID / Robustness in magnetic field / alternative HTS film / Josephson junction / Meissner effect / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 401, SCE2013-39, pp. 25-29, 2014年1月.
資料番号 SCE2013-39 
発行日 2014-01-16 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SCE2013-39 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2013-39

研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2014-01-23 - 2014-01-24 
開催地(和) 機械振興会館地下3階2号室 
開催地(英) Kikaishinkou-kaikan Bldg. 
テーマ(和) 薄膜、デバイス技術及びその応用、一般 
テーマ(英) Thin film, device technologies and their applications, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2014-01-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) HTS薄膜を積層した高磁場耐性HTS-SQUIDの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Robust HTS-SQUID Covered with HTS Film in Flip-Chip Configuration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) HTS-SQUID / HTS-SQUID  
キーワード(2)(和/英) 高磁場耐性 / Robustness in magnetic field  
キーワード(3)(和/英) HTS薄膜 / alternative HTS film  
キーワード(4)(和/英) ジョセフソン接合 / Josephson junction  
キーワード(5)(和/英) マイスナー効果 / Meissner effect  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 廿日出 好 / Yoshimi Hatsukade / ハツカデ ヨシミ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 圭佑 / Keisuke Yoshida / ヨシダ ケイスケ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鹿毛 孝浩 / Takahiro Kage / カゲ タカヒロ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 健文 / Toshifumi Suzuki / スズキ トシフミ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 三郎 / Saburo Tanaka / タナカ サブロウ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-01-23 11:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SCE 
資料番号 SCE2013-39 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.401 
ページ範囲 pp.25-29 
ページ数
発行日 2014-01-16 (SCE) 


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