講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-12-16 13:15
[招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用 ○佐藤 優・川野陽一・芝 祥一・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀(富士通) ED2013-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-91 |
抄録 |
(和) |
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれのシステムにおいても増幅器は重要な役割を果たしており,広帯域性,高利得性,低雑音性,安定性などが求められる.本報告ではゲート長75nmのInP HEMTを用いた増幅器設計技術について述べる.ゲート接地型3段増幅器では出力側インダクタを変えることにより,D帯で利得15 dB,G帯で利得10 dBを実現した.また,超高周波領域では増幅器の利得が高めた場合に,一般的に帰還電力により動作が不安定となる.この帰還電力を抑圧する設計手法を提案し,この手法を用いることにより230-240 GHz帯で利得30 dBを達成した.さらに,この増幅器に変調器と検波器を組み合わせた集積回路を試作し,10 Gb/s信号を変・復調に成功した. |
(英) |
Recent advances in the process technology of electronics devices have opened the possibility of achieving submillimeter-wave imaging sensors and wireless communication systems. As low noise amplifiers (LNA) are placed at the receiver’s front-end, wide-bandwidth, high-gain and low-noise characteristics are required. In this reports, submillimeter-wave amplifier design methodologies in 75 nm InP HEMTs are reported. Three-stage common-gate amplifiers realizes gains of, 15 dB for D-band, and 10 dB for G-band band by changing output matching inductor of unit amplifier. Moreover, a high gain amplifier is generally difficult to realize in these frequency range, because unwanted feedback power cause unstable operation. Our proposed feedback reduction architecture successfully achieved 30 dB gain at around 230 GHz. A modulator and an envelope detector are also implemented in the amplifier to confirm a large signal operation. Clear eye-opening waveform from the detector output can be successfully obtained for 10 Gb/s data signal. |
キーワード |
(和) |
ソース接地増幅器 / ゲート接地増幅器 / サブミリ波 / 帰還電力抑圧 / / / / |
(英) |
Common-gate amplifier / Feedback reduction / InP HEMT / Submillimeter-wave / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-91, pp. 7-11, 2013年12月. |
資料番号 |
ED2013-91 |
発行日 |
2013-12-09 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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