講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-12-16 13:55
埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡(NICT/富士通研)・渡邊一世・笠松章史(NICT)・三村高志(富士通研/NICT) ED2013-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-92 |
抄録 |
(和) |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして,ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある.本研究においては,このような埋め込みゲートを有するIn0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTのモンテカルロ計算を行い,DC,RF特性の埋め込み深さd依存性を求めた.モンテカルロ計算は,ゲート電極のヘッドをT型にした場合とT型ヘッドの無い矩形状について行った.T型ゲートの場合,埋め込み深さdを大きくするにつれて,最大相互コンダクタンスgm_maxとゲート容量Cgは増大する.但し,gm_maxの方がCgよりもdに対する増大の程度が大きい.結果として,遮断周波数fTはdが大きくなるにつれて増大する.これらの傾向は,我々が以前に行った実験結果と定性的に一致する.一方,矩形ゲートにおいては,gm_maxとCgのdに対する増大の程度は同程度であり,遮断周波数fTのdによる増大は見られない.これらの違いは,ゲート電極のT型部分による容量に起因している.更に,ゲート電極下チャネル層中の電子速度を求めた.ゲート電極下チャネル層中の平均電子速度は,dが大きくなるにつれて増大する傾向がある. |
(英) |
To achieve higher frequency operations of InP-based high electron mobility transistors (HEMTs), the buried gate structures are used. In this work, we carried out Monte Carlo (MC) simulation of In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs with buried gate. We employed a T-shaped structure as a gate electrode. The maximum transconductance gm_max and gate capacitance Cg increase with increasing the buried depth d. The extent of increase in the gm_max is more than that in the Cg. As a result, the cutoff frequency fT increases with the buried depth d. These phenomena agree with our previous experimental results. We also carried out MC simulation of the rectangular gate HEMTs. The increase of the gm_max with increasing d is almost same as that of the Cg. The increase of fT with increasing d was not observed in the MC simulations of the rectangular gate HEMT. Therefore, the head of the T-shaped gate plays a very important role in determining the trend of fT. Furthermore, we obtained electron velocity in the channel layer. The average electron velocity in the channel under the gate electrode increases with increasing d. |
キーワード |
(和) |
HEMT / InGaAs / モンテカルロ計算 / ドレイン電流 / 相互コンダクタンス / ゲート容量 / 遮断周波数 / 電子速度 |
(英) |
HEMT / InGaAs / Monte Carlo simulation / Drain-source current / Transconductance / Gate capacitance / Cutoff frequency / Electron velocity |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-92, pp. 13-17, 2013年12月. |
資料番号 |
ED2013-92 |
発行日 |
2013-12-09 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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