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| 講演名 | 2013-12-16 13:55 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT）  ED2013-92 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-92 |
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| 抄録 | （和） | InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては，このような埋め込みゲートを有するIn0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTのモンテカルロ計算を行い，DC，RF特性の埋め込み深さd依存性を求めた．モンテカルロ計算は，ゲート電極のヘッドをＴ型にした場合とＴ型ヘッドの無い矩形状について行った．Ｔ型ゲートの場合，埋め込み深さdを大きくするにつれて，最大相互コンダクタンスgm_maxとゲート容量Cgは増大する．但し，gm_maxの方がCgよりもdに対する増大の程度が大きい．結果として，遮断周波数fTはdが大きくなるにつれて増大する．これらの傾向は，我々が以前に行った実験結果と定性的に一致する．一方，矩形ゲートにおいては，gm_maxとCgのdに対する増大の程度は同程度であり，遮断周波数fTのdによる増大は見られない．これらの違いは，ゲート電極のＴ型部分による容量に起因している．更に，ゲート電極下チャネル層中の電子速度を求めた．ゲート電極下チャネル層中の平均電子速度は，dが大きくなるにつれて増大する傾向がある． |
| （英） | To achieve higher frequency operations of InP-based high electron mobility transistors (HEMTs), the buried gate structures are used. In this work, we carried out Monte Carlo (MC) simulation of In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs with buried gate. We employed a T-shaped structure as a gate electrode. The maximum transconductance gm_max and gate capacitance Cg increase with increasing the buried depth d. The extent of increase in the gm_max is more than that in the Cg. As a result, the cutoff frequency fT increases with the buried depth d. These phenomena agree with our previous experimental results. We also carried out MC simulation of the rectangular gate HEMTs. The increase of the gm_max with increasing d is almost same as that of the Cg. The increase of fT with increasing d was not observed in the MC simulations of the rectangular gate HEMT. Therefore, the head of the T-shaped gate plays a very important role in determining the trend of fT. Furthermore, we obtained electron velocity in the channel layer. The average electron velocity in the channel under the gate electrode increases with increasing d. | |
| キーワード | （和） | HEMT / InGaAs / モンテカルロ計算 / ドレイン電流 / 相互コンダクタンス / ゲート容量 / 遮断周波数 / 電子速度 |
| （英） | HEMT / InGaAs / Monte Carlo simulation / Drain-source current / Transconductance / Gate capacitance / Cutoff frequency / Electron velocity | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-92, pp. 13-17, 2013年12月. | |
| 資料番号 | ED2013-92 | |
| 発行日 | 2013-12-09 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-92 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-12-16 - 2013-12-17 |
| 開催地（和） | 東北大通研 |
| 開催地（英） | Research Institute of Electrical Communication Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave, terahertz wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monte Carlo Simulation of InAlAs/InGaAs HEMTs with Buried Gate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | モンテカルロ計算 / Monte Carlo simulation |
| キーワード(4)（和/英） | ドレイン電流 / Drain-source current |
| キーワード(5)（和/英） | 相互コンダクタンス / Transconductance |
| キーワード(6)（和/英） | ゲート容量 / Gate capacitance |
| キーワード(7)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(8)（和/英） | 電子速度 / Electron velocity |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： NICT/Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通研究所/情報通信研究機構 (略称： 富士通研/NICT) Fujitsu Laboratories Ltd./National Institute of Information and Communications Technology (略称： Fujitsu Labs./NICT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-16 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-92 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-09 (ED) |
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