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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-28 10:50 不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大）  VLD2013-81 DC2013-47 |
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| 抄録 | （和） | 近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている． 不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しないため次世代のメモリとして期待されている． 不揮発メモリは通常のメモリより書き込み時に電力を消費する問題がある． 不揮発メモリの書き込み電力を低減するためには，書き込みビット数を削減する手法が考えられる． メモリの値をある値から違う値へ書き換えるとき，実際に保存する値を符号化することで， 本来書き換えるビット数よりも実際に書き込むビット数を少なくすることができる． 本稿では不揮発メモリを対象とした書き込みビット数削減手法のエネルギーを評価する． |
| （英） | Non-volatile memory has many advantages over SRAM, such as high density, low leakage power, and non-volatility. However, one of its largest problems is that it consumes a large amount of energy in writing. It is quite necessary to reduce the number of writing bits and thus decrease its writing energy.We have proposed a memory writing reduction method based on error correcting codes. When a data is written into a memory, we do not write it directly but encode it into a codeword. Then the number of writing bits into memory is also limited in data writing. In this paper, we demonstrate several experimental evaluations from the viewpoints of energy reduction and discuss the effectiveness of our proposed writing-reduction codes. |
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| キーワード | （和） | 不揮発メモリ / 書き込み削減 / / / / / / |
| （英） | non-voltaile memory / write reduction / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 320, VLD2013-81, pp. 141-146, 2013年11月. | |
| 資料番号 | VLD2013-81 | |
| 発行日 | 2013-11-20 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2013-81 DC2013-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2013-11-27 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 鹿児島県文化センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | デザインガイア2013 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2013 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2013-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Energy evaluation of writing reduction method for non-volatile memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発メモリ / non-voltaile memory |
| キーワード(2)（和/英） | 書き込み削減 / write reduction |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多和田 雅師 / Masashi Tawada / タワダ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 晋二 / Shinji Kimura / キムラ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳澤 政生 / Masao Yanagisawa / ヤナギサワ マサオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸川 望 / Nozomu Togawa / トガワ ノゾム |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2013-81, DC2013-47 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.320(VLD), no.321(DC) |
| ページ範囲 | pp.141-146 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-11-20 (VLD, DC) |
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