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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-02-27 15:40 Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions ○Sri Purwiyanti・Arief Udhiarto（Shizuoka Univ./Univ. Indonesia）・Roland Nowak（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Djoko Hartanto（Univ. Indonesia）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）  ED2012-132 SDM2012-161 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-132 SDM2012-161 |
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| 抄録 | （和） | In this work, we report the experimental observation of dopant signature in nanoscale ultra-thin SOI pn junctions. At temperatures below 30 K, we observed current fluctuations as random telegraph signal (RTS) in the dark and under light illumination. In the dark, two levels of RTS have been observed, suggesting that a charge moving as part of diffusion current may be trapped by an ionized dopant in the depletion layer. The RTS under light illumination has been observed only in pn junction devices, but not in pin junction devices, suggesting that the RTS is promoted in pn junctions due to trapping and detrapping of photogenerated carriers by donor-acceptor pair in the depletion layer. Observation of potential fluctuations due to trapping and detrapping events by Kelvin probe force microscopy (KFM) has also been reported. These results illustrate the nature of individual dopants in nanoscale pn junctions and their impact on device characteristics. |
| （英） | In this work, we report the experimental observation of dopant signature in nanoscale ultra-thin SOI pn junctions. At temperatures below 30 K, we observed current fluctuations as random telegraph signal (RTS) in the dark and under light illumination. In the dark, two levels of RTS have been observed, suggesting that a charge moving as part of diffusion current may be trapped by an ionized dopant in the depletion layer. The RTS under light illumination has been observed only in pn junction devices, but not in pin junction devices, suggesting that the RTS is promoted in pn junctions due to trapping and detrapping of photogenerated carriers by donor-acceptor pair in the depletion layer. Observation of potential fluctuations due to trapping and detrapping events by Kelvin probe force microscopy (KFM) has also been reported. These results illustrate the nature of individual dopants in nanoscale pn junctions and their impact on device characteristics. | |
| キーワード | （和） | Nanoscale pn junction / Individual dopant / KFM / RTS / / / / |
| （英） | Nanoscale pn junction / Individual dopant / KFM / RTS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 446, SDM2012-161, pp. 25-30, 2013年2月. | |
| 資料番号 | SDM2012-161 | |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-132 SDM2012-161 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-132 SDM2012-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2013-02-27 - 2013-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Nanoscale pn junction / Nanoscale pn junction |
| キーワード(2)（和/英） | Individual dopant / Individual dopant |
| キーワード(3)（和/英） | KFM / KFM |
| キーワード(4)（和/英） | RTS / RTS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Sri Purwiyanti / Sri Purwiyanti / |
| 第1著者 所属（和/英） | Shizuoka University/Universitas Indonesia (略称： 静岡大/Univ. Indonesia) Shizuoka University/Universitas Indonesia (略称： Shizuoka Univ./Univ. Indonesia) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Arief Udhiarto / Arief Udhiarto / |
| 第2著者 所属（和/英） | Shizuoka University/Universitas Indonesia (略称： 静岡大/Univ. Indonesia) Shizuoka University/Universitas Indonesia (略称： Shizuoka Univ./Univ. Indonesia) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Roland Nowak / Roland Nowak / |
| 第3著者 所属（和/英） | Shizuoka University/Warsaw University of Technology (略称： 静岡大/Warsaw Univ. of Tech.) Shizuoka University/Warsaw University of Technology (略称： Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Daniel Moraru / Daniel Moraru / |
| 第4著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Takeshi Mizuno / Takeshi Mizuno / |
| 第5著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Djoko Hartanto / Djoko Hartanto / |
| 第6著者 所属（和/英） | Universitas Indonesia (略称： Univ. Indonesia) Universitas Indonesia (略称： Univ. Indonesia) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ryszard Jablonski / Ryszard Jablonski / |
| 第7著者 所属（和/英） | Warsaw University of Technology (略称： Warsaw Univ. of Tech.) Warsaw University of Technology (略称： Warsaw Univ. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | Michiharu Tabe / Michiharu Tabe / |
| 第8著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-27 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2012-132, SDM2012-161 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.445(ED), no.446(SDM) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) |
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