講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-02-27 15:00
イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか ○榊原宏武・和田耕司・加藤正史・市村正也(名工大) ED2012-131 SDM2012-160 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-131 SDM2012-160 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 445, ED2012-131, pp. 19-24, 2013年2月. |
資料番号 |
ED2012-131 |
発行日 |
2013-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
SDM ED |
開催期間 |
2013-02-27 - 2013-02-28 |
開催地(和) |
北海道大学(百年記念会館) |
開催地(英) |
Hokkaido Univ. |
テーマ(和) |
機能ナノデバイスおよび関連技術 |
テーマ(英) |
Functional nanodevices and related technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2013-02-SDM-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
possibility of efficiency improvement of silicon solar cells due to defect-level introduction by ion implantation |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
榊原 宏武 / Hiromu Sakakibara / サカキバラ ヒロム |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
和田 耕司 / Koji Wada / ワダ コウジ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-02-27 15:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2012-131, SDM2012-160 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.445(ED), no.446(SDM) |
ページ範囲 |
pp.19-24 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2013-02-20 (ED, SDM) |
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