講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-02-27 14:10
外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化 ○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡(静岡大)・ファイズ サレ(静岡大/学振) ED2012-129 SDM2012-158 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-129 SDM2012-158 |
抄録 |
(和) |
シリコンをナノ構造化することにより熱電変換性能を向上するためのひとつのポイントは,フェルミエネルギーを制御してゼーベック係数を大きくすることである.そのため,極薄SOI層に外部電圧を印加したときのゼーベック係数の変化を実験と理論計算の両面から調べた.その結果,外部電圧によるSOIのゼーベック係数は,BOX層との界面近傍のキャリア密度,すなわちフェルミエネルギーを介して制御でき,その値にはフォノンドラッグの効果も寄与することが示された. |
(英) |
The enhancement of Seebeck coefficient by controlling the Si Fermi energy is one of key issues for enhancing the thermoelectric performance by Si nanostructures. For this purpose, the variation of Seebeck coefficient in ultrathin Si-on-insulator (SOI) layer by external bias was experimentally and theoretically investigated. It was found that the SOI Seebeck coefficient is mainly tuned by the carrier concentration or Fermi energy near the buried-oxide layer and includes the influence of phonon drag. |
キーワード |
(和) |
サーモパイル型赤外線センサ / ゼーベック係数 / 極薄SOI層 / フェルミエネルギー / フォノンドラッグ / / / |
(英) |
thermopile IR photodetector / Seebeck coefficient / ultrathin SOI layer / Fermi energy / phonon drag / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 446, SDM2012-158, pp. 7-11, 2013年2月. |
資料番号 |
SDM2012-158 |
発行日 |
2013-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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