講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-02-27 13:30
[招待講演]グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 ○町田友樹(東大/JST)・増渕 覚・大貫雅広・井口和之・森川 生・山口健洋・荒井美穂(東大)・渡邊賢司・谷口 尚(物質・材料研究機構) ED2012-128 SDM2012-157 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-128 SDM2012-157 |
抄録 |
(和) |
高移動度グラフェン/h-BNのバリスティック伝導に起因する磁気抵抗効果を調べた.バリスティックに伝導するディラックフェルミオンが伝導チャネル端で拡散的に散乱されることにより生じる磁気抵抗のピーク構造を観測した.磁気抵抗ピークにおけるサイクロトロン半径と伝導チャネル幅の整合係数は半導体二次元電子系とは異なる値を取り,グラフェン特有の端散乱の存在を示唆している.グラフェン/h-BNにおけるサイクロトロン共鳴により生じる光起電力効果についても議論する. |
(英) |
We study magnetotransport in ballistic graphene mesoscopic wires on hexagonal boron nitride (h-BN). We observed anomalous magnetoresistance curves with characteristic peak structures where the peak field scales with the ratio of cyclotron radius and wire width. The obtained commensurability ratio contrasts with that in semiconductor two-dimensional electron gas systems. In addition, the photovoltaic effect due to the cyclotron resonance in graphene/h-BN is presented. |
キーワード |
(和) |
グラフェン / バリスティック伝導 / 光起電力 / 窒化ホウ素 / サイクロトロン共鳴 / / / |
(英) |
Graphene / Ballistic transport / Photovoltaic effect / Boron nitride / Cyclotron resonance / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 446, SDM2012-157, pp. 1-5, 2013年2月. |
資料番号 |
SDM2012-157 |
発行日 |
2013-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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