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| 講演名 | 2012-07-26 14:20 ［招待講演］パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ 〜 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 〜 ○畑迫健一・新田哲也・羽根正巳・前川繁登（ルネサス エレクトロニクス） 技報オンラインサービス実施中（通信ソサイエティ/ISSのみ）  |
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| 抄録 | （和） | 電気機器や電装品は“高効率かつ省エネルギー”が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位置付けられ、開発が進んでいる。本論文では高効率化や省エネルギー化を推進するデバイスであるパワーデバイス混載ミックスシグナルLSIの過去から現在までのトレンドを説明し、微細加工技術を使用することによるデバイスの高性能化、SOI技術を使用することによるデバイスの高性能化について夫々説明する。また、現在開発中の技術としてワイドバンドギャップ半導体InGaZnO(IGZO)をチャネル材料として、配線層に三次元的に形成するBEOLトランジスタについて紹介する。 |
| （英） | This paper presents high performance and high reliability BiC-DMOS device development, which act as the driving force devices toward high efficiency and energy saving society. The development trend of mixed-signal LSI is presented. High performance device development by fine process technology and SOI technology is described. BEOL transistor is presented as high potential transistor, which use wide band-gap semiconductor InGaZnO (IGZO). | |
| キーワード | （和） | パワーデバイス混載ミックスシグナルLSI / BiC-DMOS / SOI / InGaZnO / Power IC / / / |
| （英） | Mixed-Signal LSI / BiC-DMOS / SOI / InGaZnO / Power IC / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 159, ICD2012-23, pp. 25-29, 2012年7月. | |
| 資料番号 | ICD2012-23 | |
| 発行日 | 2012-07-19 (ICD) | |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2012-07-26 - 2012-07-27 |
| 開催地（和） | 山形大学米沢キャンパス |
| 開催地（英） | Yamagata University |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed analog and digital, RF, and sensor interface circuitry |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-07-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ |
| サブタイトル（和） | 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 |
| タイトル（英） | Smart Power LSI Technology Development |
| サブタイトル（英） | High Performance and High Reliability BiC-DMOS Device Development |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス混載ミックスシグナルLSI / Mixed-Signal LSI |
| キーワード(2)（和/英） | BiC-DMOS / BiC-DMOS |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(5)（和/英） | Power IC / Power IC |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑迫 健一 / Kenichi Hatasako / ハタサコ ケンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(株) (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Co.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新田 哲也 / Tetsuya Nitta / |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(株) (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Co.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽根 正巳 / Masami Hane / |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(株) (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Co.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 繁登 / Shigeto Maegawa / |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(株) (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Co.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 1 |
| 発表日時 | 2012-07-26 14:20:00 |
| 発表時間 | 50 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | IEICE-ICD2012-23 |
| 巻番号（vol） | IEICE-112 |
| 号番号（no） | no.159 |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | IEICE-5 |
| 発行日 | IEICE-ICD-2012-07-19 |
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