| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-06-29 14:00
C帯220W高効率GaN増幅器 ○前原宏昭・山中宏治・小坂尚輝・西原 淳・川嶋慶一・中山正敏(三菱電機) 技報オンラインサービス実施中(通信ソサイエティ/ISSのみ) |
| 抄録 |
(和) |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.GaN HEMTは主として100Wを超えるような大出力での利用が期待されているが出力密度に伴い発熱密度も高くなることから高出力に加えて高効率動作が必要となる.今回,C帯にて高調波負荷整合と合成損の低減を考慮した設計を行うことでC帯220W GaN増幅器について2007年に既報の約1.5倍の高効率が得られたので報告する. |
| (英) |
In this paper, a high power and high efficiency fully internally-matched GaN FET operating at C-band is presented. Recently, many over 100W output power GaN HEMT amplifiers have been developed. High efficiency operation is necessary for such high power GaN HEMT amplifiers since power dissipation becomes a serious problem. In this work, a C-band GaN amplifier is designed so that harmonic impedances are tuned to high efficiency and combining loss is maintained minimum. As a result, 224W output power and 56% power added efficiency was successfully obtained, which is 20pts higher than previous report of ours. |
| キーワード |
(和) |
GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / / |
| (英) |
GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 109, MW2012-22, pp. 19-24, 2012年6月. |
| 資料番号 |
MW2012-22 |
| 発行日 |
2012-06-22 (MW) |