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講演抄録/キーワード
講演名 2012-05-18 11:40
SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
山羽 隆中塚 理名大)・木下恭一依田眞一JAXA)・財満鎭明名大ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-32, pp. 73-77, 2012年5月.
資料番号 ED2012-32 
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2012-05-17 - 2012-05-18 
開催地(和) 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Toyohashi Univ. of Technol. 
テーマ(和) 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and characterization of strained Ge epitaxial layers on SiGe substrates 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山羽 隆 / Takashi Yamaha / ヤマハ タカシ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 恭一 / Kyoichi Kinoshita / キノシタ キョウイチ
第3著者 所属(和/英) 宇宙航空研究開発機構 (略称: JAXA)
Japan Aerospace eXploration Agency (略称: JAXA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 依田 眞一 / Shinichi Yoda / ヨダ シンイチ
第4著者 所属(和/英) 宇宙航空研究開発機構 (略称: JAXA)
Japan Aerospace eXploration Agency (略称: JAXA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-05-18 11:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2012-32, CPM2012-16, SDM2012-34 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) 
ページ範囲 pp.73-77 
ページ数
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 


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