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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-27 13:05 高密度光電融合インターフェース回路集積法に関する基礎的検討 筒井信一・○植之原裕行（東工大）  OCS2011-63 OPE2011-101 LQE2011-64 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2011-101 LQE2011-64 |
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| 抄録 | （和） | ボード内・ボード間インターコネクションのための高密度光インターコネクション用光電融合インターフェース回路として、VCSEL・面型PDを同一基板上に配置し、基板に集積したレンズを介して基板裏面に形成したポリマー導波路間で入出力する構成の実現をめざし、その基礎検討を行った。VCSEL・PDとポリマー導波路との結合を同一構造の集積レンズで実現するための光学設計を行い、GaAs基板厚400m、マルチモード導波路のコア厚50m、下部クラッド厚10mとしたとき、レンズ直径150～320m（マスク直径60m以上）で実現可能である結果を得た。またGaAs基板に作成したレンズの光学特性評価を行い、マスク径60mにおいて有効径50m、曲率半径255±5.5mおよび設計に近い焦点距離を実現した。更に、その上面に形成したポリマー導波路への光結合を検討したので報告する。 |
| （英） | We have investigated the opto-electronic interface circuit for on-board/inter-board high-density optical interconnection, that consists of the configuration with VCSELs and surface-injection-type PDs positioned on the same substrate and the input-output configuration using polymer waveguides through semiconductor lenses. Design of the lens for achieving connection of the VCSELs and PDs with polymer waveguides through the same structure was investigated, and the simulation results of the lens diameter of less than 320m(mask diameter of larger than 60m) on GaAs substrate of 400m thickness, multi-mode waveguide core of 50m thickness, and lower cladding layer of 10m thickness was obtained. Evaluation of the optical performance of the lens fabricated on GaAs substrate, and the effective diameter of 50m, curvature diameter of 255±5.5m and focal length close to the simulation values were achieved. Moreover, the experimental investigation of the optical connection between polymer waveguide fabricated on the semiconductor lens is reported. | |
| キーワード | （和） | 光電融合インターフェース / 光インターコネクション / VCSEL / 半導体レンズ / ポリマー導波路 / / / |
| （英） | opto-electronic interface / optical interconnection / VCSEL / semiconductor lens / polymer waveguide / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 266, OPE2011-101, pp. 49-54, 2011年10月. | |
| 資料番号 | OPE2011-101 | |
| 発行日 | 2011-10-20 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2011-63 OPE2011-101 LQE2011-64 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2011-101 LQE2011-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS LQE OPE |
| 開催期間 | 2011-10-27 - 2011-10-28 |
| 開催地（和） | 高知工科大 |
| 開催地（英） | Kochi University of Technology |
| テーマ（和） | 超高速伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・ WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，一般，(ECOC報告) |
| テーマ（英） | ultra high speed transmission, modulation,dispersion compensation, ultra-high speed optical signal processingm broadband optical amplification,WDM, receiver and emitter, high power light transmission, etc, (report of ECOC2011) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2011-10-OCS-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高密度光電融合インターフェース回路集積法に関する基礎的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of High-Density Opto-Electronic Interface Circuit for On-Board and Inter-Board Bidirectional Communication |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電融合インターフェース / opto-electronic interface |
| キーワード(2)（和/英） | 光インターコネクション / optical interconnection |
| キーワード(3)（和/英） | VCSEL / VCSEL |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体レンズ / semiconductor lens |
| キーワード(5)（和/英） | ポリマー導波路 / polymer waveguide |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 信一 / Shinichi Tsutsui / ツツイ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植之原 裕行 / Hiroyuki Uenohara / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2011-10-27 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OCS2011-63, OPE2011-101, LQE2011-64 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.265(OCS), no.266(OPE), no.267(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-20 (OCS, OPE, LQE) |
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