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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 14:50 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討 ○中久保義則・江利口浩二・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大）  SDM2011-111 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-111 |
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| 抄録 | （和） | プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化層/ダメージ層/Si基板の擬似的MOS構造における電気容量特性変動に基づいた欠陥密度定量化手法を提案する。本手法を用いて、Arプラズマ処理によるSi基板中の欠陥密度とプラズマ処理条件との関係、及びAr系へのO2添加の影響について考察した結果を報告する。またArプラズマとHeプラズマとのダメージ層構造の違いについても議論する。本解析手法はプラズマプロセス開発におけるダメージ評価手法として有効であると考えられる。 |
| （英） | We present analysis techniques for plasma process-induced damage in the Si substrate. The techniques are based on the electrical characterizations (current-voltage and capacitance-voltage measurements) of damaged structure – the surface- / interfacial-damaged layer / Si substrate. Using the techniques, the defect density created in the Si substrate was estimated for various plasma conditions with Ar gas in an inductively coupled plasma reactor. The effect of O2 addition into Ar-plasma was also discussed. In addition, the damage creation mechanism by He-plasma and that by Ar-plasma was compared. The presented electrical characterization techniques were useful for the low-damage plasma process design. | |
| キーワード | （和） | プラズマダメージ / 欠陥 / 電気容量測定 / 電流・電圧測定 / / / / |
| （英） | Plasma induced damage / defect / capacitance-voltage / current-voltage / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-111, pp. 79-84, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-111 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-111 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization Techniques for Si Substrate Damage during Plasma Etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマダメージ / Plasma induced damage |
| キーワード(2)（和/英） | 欠陥 / defect |
| キーワード(3)（和/英） | 電気容量測定 / capacitance-voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 電流・電圧測定 / current-voltage |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中久保 義則 / Yoshinori Nakakubo / ナカクボ ヨシノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江利口 浩二 / Koji Eriguchi / エリグチ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 朝彦 / Asahiko Matsuda / マツダ アサヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao / タカオ ヨシノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斧 高一 / Kouichi Ono / オノ コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-111 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.79-84 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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