| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-19 10:55 [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM ○大内真一・遠藤和彦・柳 永シュン・松川 貴・中川 格・石川由紀・塚田順一・山内洋美・関川敏弘・小池汎平・坂本邦博・昌原明植（産総研）  ICD2011-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-11 |
|
| 抄録 | （和） | 本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMアレイにおいては、6トランジスタSRAMセルのパスゲートに閾値可変型FinFETを用いる。読出し動作においては、このパスゲートの閾値電圧は徐々に下げられ、センスアンプでデータが検出されると同時に初期値に戻される。この動的閾値制御によって、パスゲート閾値電圧が読出しの都度最適化され、読出し時間と読出し安定性のトレードオフがセル毎に最適化される。結果として、ランダムばらつきに対する耐性が大幅に向上し、スケーリングの進んだプロセスを用いてもシステムの動作電圧が低減可能となる。この技術は、微細化の進んだプロセスでの電源電圧低減に有効である。実験とシミュレーションによって効果を確認した結果、ゲート長20nmのLSTP (Low Standby Power)プロセスにおいて、0.5V動作時に2ns程度で読出し動作が可能であることが示唆された。 |
| （英） | This article presents a FinFET SRAM which salvages malfunctioned bits caused by random variation. In the presenting SRAM array, pass gates (PGs) of a 6-transistor SRAM cell consist of tunable-threshold-voltage (Vt) FinFETs. The Vt of those PGs is gradually lowered from a initial value during the read process. Once a datum is detected from a sense amplifier, the Vt is restored to the initial value. By this dynamic threshold-voltage control of PGs, the best Vt for each cell is automatically chosen, and the trade-off relationship between read speed and read margin is optimized in each cell. This technique is effective to reduce supply voltage in a scaled process. The experimental and simulation results suggest that this technique will enable 0.5V operation at read delay within 2ns in an Lg-20nm low-standby-power (LSTP) technology | |
| キーワード | （和） | 閾値可変型FinFET / 6T-SRAM / ランダムばらつき / SNM / / / / |
| （英） | variable-tthreshold-voltage FinFET / 6T-SRAM / random variation / SNM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-11, pp. 59-63, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-11 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-11 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 0.5-V FinFET SRAM Using Dynamic-Threshold-Voltage Pass Gates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 閾値可変型FinFET / variable-tthreshold-voltage FinFET |
| キーワード(2)（和/英） | 6T-SRAM / 6T-SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | ランダムばらつき / random variation |
| キーワード(4)（和/英） | SNM / SNM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大内 真一 / Shin-ichi O'uchi / オオウチ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳 永シュン / Yongxun Liu / リュウ ユウシュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 格 / Tadashi Nakagawa / ナカガワ タダシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 由紀 / Yuki Ishikawa / イシカワ ユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚田 順一 / Junichi Tsukada / ツカダ ジュンイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 洋美 / Hiromi Yamauchi / ヤマウチ ヒロミ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関川 敏弘 / Toshihiro Sekigawa / セキガワ トシヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 汎平 / Hanpei Koike / コイケ ハンペイ |
| 第10著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 邦博 / Kunihiro Sakamoto / サカモト クニヒロ |
| 第11著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク |
| 第12著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of AIST (略称： AIST) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-19 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-11 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]