お知らせ
2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ
技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ
電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW
参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
トップに戻る
前のページに戻る
[Japanese]
/
[English]
講演抄録/キーワード
講演名
2011-04-19 10:20
[依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式
○
武田晃一
・
斉藤寿男
・
朝山 忍
・
相本代志治
・
小畑弘之
・
伊藤信哉
・
高橋寿史
・
竹内 潔
・
野村昌弘
・
林 喜宏
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2011-10
エレソ技報アーカイブへのリンク:
ICD2011-10
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
/ / / / / / /
(英)
/ / / / / / /
文献情報
信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-10, pp. 55-58, 2011年4月.
資料番号
ICD2011-10
発行日
2011-04-11 (ICD)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
ICD2011-10
エレソ技報アーカイブへのリンク:
ICD2011-10
研究会情報
研究会
ICD
開催期間
2011-04-18 - 2011-04-19
開催地(和)
神戸大学 瀧川記念館
開催地(英)
Kobe University Takigawa Memorial Hall
テーマ(和)
メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術
テーマ(英)
Memory Device Technologies
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ICD
会議コード
2011-04-ICD
本文の言語
日本語
タイトル(和)
[依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Multi-step Word-line Control Technology in Hierarchical Cell Architecture for Scaled-down High-density SRAMs
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
/
キーワード(3)(和/英)
/
キーワード(4)(和/英)
/
キーワード(5)(和/英)
/
キーワード(6)(和/英)
/
キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
武田 晃一
/
Koichi Takeda
/
タケダ コウイチ
第1著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
斉藤 寿男
/
Toshio Saito
/
サイトウ トシオ
第2著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
朝山 忍
/
Shinobu Asayama
/
アサヤマ シノブ
第3著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
相本 代志治
/
Yoshiharu Aimoto
/
アイモト ヨシハル
第4著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
小畑 弘之
/
Hiroyuki Kobatake
/
コバタケ ヒロユキ
第5著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
伊藤 信哉
/
Shinya Ito
/
イトウ シンヤ
第6著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
高橋 寿史
/
Toshifumi Takahashi
/
タカハシ トシフミ
第7著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
竹内 潔
/
Kiyoshi Takeuchi
/
タケウチ キヨシ
第8著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
野村 昌弘
/
Masahiro Nomura
/
ノムラ マサヒロ
第9著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
林 喜宏
/
Yoshihiro Hayashi
/
ハヤシ ヨシヒロ
第10著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics
(略称:
Renesas Electronics
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2011-04-19 10:20:00
発表時間
25分
申込先研究会
ICD
資料番号
ICD2011-10
巻番号(vol)
vol.111
号番号(no)
no.6
ページ範囲
pp.55-58
ページ数
4
発行日
2011-04-11 (ICD)
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]
[電子情報通信学会ホームページ]
IEICE / 電子情報通信学会