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| 講演名 | 2011-04-18 10:50 ［招待講演］NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術 ○高島大三郎・野口充宏・柴田 昇・神田和重・助川 博・藤井秀壮（東芝）  ICD2011-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-2 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では、NAND Flashメモリの高性能化の技術動向と、標準NAND Flashプロセスを用いた混載DRAM技術について述べる。32nm NAND Flashプロセスで試作した32KB混載DRAMは1.5µm2 セル、2.4mm2/Mbを実現し、高密度な混載DRAMページバッファを可能にする。Self-Boost技術やその他新規技術によって、十分な±100mVセル信号、1x10-17未満のSoft Error によるBit Error Rate、10msデータ保持@85Cが達成出来た。 |
| （英） | In this paper, first, the technical trend for high-bandwidth NAND flash memories is introduced. Second, an embedded DRAM using a standard NAND flash memory process has been demonstrated for the first time. A prototype of 32nm 32KB embedded DRAM macro with 1.5µm2 cell using a 3fF MOS capacitor realizes 2.4mm2/Mb density and provides DRAM page buffer for a NAND flash memory to enhance read/write performance. A self-boost and several new techniques have achieved 66MB/s/pin data rate, negligible soft error of 1x10-17 BER, and 10ms data retention by ±100mV cell signal. | |
| キーワード | （和） | NANDフラッシュメモリ / 混載DRAM / ページバッファ / 書込みバンド幅 / プログラム時間 / / / |
| （英） | NAND Flash Memory / Embedded DRAM / Page Buffer / Write Bandwidth / Programming Time / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-2, pp. 7-12, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-2 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Technical Trend and Embedded DRAM Technology for High-Performance NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 混載DRAM / Embedded DRAM |
| キーワード(3)（和/英） | ページバッファ / Page Buffer |
| キーワード(4)（和/英） | 書込みバンド幅 / Write Bandwidth |
| キーワード(5)（和/英） | プログラム時間 / Programming Time |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 大三郎 / Daisaburo Takashima / タカシマ ダイサブロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 充宏 / Mitsuhiro Noguchi / ノグチ ミツヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 昇 / Noboru Shibata / シバタ ノボル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 和重 / Kazushige Kanda / カンダ カズシゲ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 助川 博 / Hiroshi Sukegawa / スケガワ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 秀壮 / Shuso Fujii / フジイ シュウソウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-18 10:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-2 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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