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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-16 15:10
[ポスター講演]測定時の劣化の影響を除去した高速NBTI回復特性センサーの検討
松本高士牧野紘明京大)・小林和淑京都工繊大/JST)・小野寺秀俊京大/JSTエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-104
抄録 (和) 本論文において我々は400nsの測定遅延を持つNBTI回復センサー回路を提案した。本回路は多数のユニットセルを含む。1つのユニットセルは10個のDUT (PMOS) と2つのアシストNMOSから構成され、DUTのリーク電流を測定することでNBTIを評価する。多数のユニットセルを並列化することでリーク電流を増幅し、さらにアシスト回路によって測定装置内の電流計への突入電流を減少させ電流測定レンジを一定に保つことができる。その結果測定遅延400nsという高速な測定が可能となった。50℃から125℃、回復時間400nsから3000sの範囲において、NBTIの回復がlog t に従うことが明らかになった。すなわち数千のPMOSを同時に劣化・回復させることにより、NBTIの起源であるゲート絶縁膜界面付近の正に帯電した欠陥の時定数が対数分布していることを観測した。本提案手法はオフリーク電流を用いているため、NBTI回復測定に対し最大のfidelityを持つという特徴がある。 
(英) We proposed an NBTI-recovery sensor with 400ns measurement delay. This sensor contains many unit cells. One unit cell includes ten PMOS DUTs and two assist NMOSes. Parallelizing many unit cells can amplify the leakage current and the assist circuit can reduce the rush current to the ammeter that keeps the measurement range of ammeter constant during measurement. Fast measurement delay is achieved by these two factors. It is confirmed that from 50\(^\circ\)C to 125\(^\circ\)C, NBTI
recovery follows log t from 400ns to 3000s. By degrading and recovering thousands of PMOS transistors at the same time, we can observe that the time constants of positively charged defects which are related to NBTI are log-uniformly distributed in the PMOS devices. Also this circuit has the highest fidelity to NBTI recovery measurement because off-leak current is used for NBTI recovery characterization and stress is not added during measurement.
キーワード (和) dependable VLSI / CMOS / NBTI / / / / /  
(英) dependable VLSI / CMOS / NBTI / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-104, pp. 55-58, 2010年12月.
資料番号 ICD2010-104 
発行日 2010-12-09 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034)

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-12-16 - 2010-12-17 
開催地(和) 東京大学 先端科学技術研究センター 
開催地(英) RCAST, Univ. of Tokyo 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英) Workshop for Graduate Student and Young Researchers 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-12-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 測定時の劣化の影響を除去した高速NBTI回復特性センサーの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 65nm CMOS High-Speed and High-Fidelity NBTI Recovery Sensor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) dependable VLSI / dependable VLSI  
キーワード(2)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(3)(和/英) NBTI / NBTI  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 高士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 紘明 / Hiroaki Makino / マキノ ヒロアキ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大/JST)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大/JST)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2010-12-16 15:10:00 
発表時間 120 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2010-104 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.344 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ICD-2010-12-09 


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