講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-08-27 11:40
ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 ○玉井翔人・渡辺重佳(湘南工科大) SDM2010-142 ICD2010-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-142 ICD2010-57 |
抄録 |
(和) |
ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用いた積層型NOR MRAM を提案し、読み出し速度を見積もった。3 側面をチャネルとして用いメモリセルの内側にゲート電極を取り囲む形の縦型トランジスタを用いる事で9F2 の微小なセルサイズでNOR 型の積層構造を実現し高速な動作を可能とした。 |
(英) |
In this paper stacked NOR type MRAM with vertical spin transistor has been newly proposed. Word line scheme surrounded by vertical spin transistor enable to realize small cell size of 9F2 and fast random access time competitive to DRAM. |
キーワード |
(和) |
不揮発性メモリ / MRAM / スピントランジスタ / 積層型NOR / ユニバーサルメモリ / / / |
(英) |
non-volatile / MRAM / spin trnsistor / stacked NOR structure / universal memory / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-142, pp. 99-104, 2010年8月. |
資料番号 |
SDM2010-142 |
発行日 |
2010-08-19 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2010-142 ICD2010-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-142 ICD2010-57 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2010-08-26 - 2010-08-27 |
開催地(和) |
札幌エルプラザ内男女共同参画センター |
開催地(英) |
Sapporo Center for Gender Equality |
テーマ(和) |
低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2010-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Study of stacked MRAM for universal memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
不揮発性メモリ / non-volatile |
キーワード(2)(和/英) |
MRAM / MRAM |
キーワード(3)(和/英) |
スピントランジスタ / spin trnsistor |
キーワード(4)(和/英) |
積層型NOR / stacked NOR structure |
キーワード(5)(和/英) |
ユニバーサルメモリ / universal memory |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
玉井 翔人 / Shouto Tamai / タマイ ショウト |
第1著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
第2著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2010-08-27 11:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2010-142, ICD2010-57 |
巻番号(vol) |
vol.110 |
号番号(no) |
no.182(SDM), no.183(ICD) |
ページ範囲 |
pp.99-104 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2010-08-19 (SDM, ICD) |