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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-08-27 14:35 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 ○井口智明・丸亀孝生・棚本哲史・杉山英行・石川瑞恵・斉藤好昭（東芝）  SDM2010-147 ICD2010-62 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-147 ICD2010-62 |
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| 抄録 | （和） | スピン注入書き込み可能な新しいタイプのスピンMOSFET（Spin-transfer-Torque Switching MOSFET，STS-MOSFET）を開発し，不揮発かつ再構成可能な集積回路へ有用性を確認した．Si基板上に作製したSTS-MOSFETの電気特性を評価した結果，明瞭な磁気電流特性（読み出し特性）とスピン注入磁化反転による10^5回以上の良好な繰り返し抵抗変化（書き込み特性）を観測した．さらに，読み出し・書き込み特性を最適化する電圧端子の接続配置を明らかにした．また，大規模回路シミュレーションにてスピンMOSFETの様々なFPGA回路への適合性を解析したところ，従来CMOS回路よりも特に回路遅延特性で顕著な向上が得られることが判明した．これらの結果はスピンMOSFET及びその書換え動作可能構造であるSTS-MOSFETが，将来の不揮発かつ再構成可能な集積回路にとって有望な素子であることを示している． |
| （英） | We developed a novel spintronic device “Spin-transfer-Torque Switching-MOSFET (STS-MOSFET)” and demonstrated its reconfigurable characteristics for nonvolatile LSIs. The device showed clear magnetocurrent (MC) and write characteristics with the endurance of over 105 cycles. Optimum connection configuration was revailed in order to enhance the read and write characteristics (i.e., MC ratio and write voltage) of the STS-MOSFETs. Large scale circuit simulations for various FPGA circuits revealed that the critical path delay is significantly improved by using the STS-MOSFETs. The overall properties of the STS-MOSFETs show great potentialities for future reconfigurable integrated circuits based on CMOS technology. | |
| キーワード | （和） | スピンMOSFET / 不揮発ロジック / スピン注入磁化反転 / / / / / |
| （英） | Spin MOSFET / Nonvolatile logic / Spin-transfer-Torque-Switching / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-147, pp. 125-129, 2010年8月. | |
| 資料番号 | SDM2010-147 | |
| 発行日 | 2010-08-19 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-147 ICD2010-62 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-147 ICD2010-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2010-08-26 - 2010-08-27 |
| 開催地（和） | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of spin MOSFET to Nonvolatile and Reconfigurable LSIs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピンMOSFET / Spin MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発ロジック / Nonvolatile logic |
| キーワード(3)（和/英） | スピン注入磁化反転 / Spin-transfer-Torque-Switching |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井口 智明 / Tomoaki Inokuchi / イノクチ トモアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corporation) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸亀 孝生 / Takao Marukame / マルカメ タカオ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corporation) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 棚本 哲史 / Tetsufumi Tanamoto / タナモト テツフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corporation) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 英行 / Hideyuki Sugiyama / スギヤマ ヒデユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corporation) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 瑞恵 / Mizue Ishikawa / イシカワ ミズエ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corporation) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 好昭 / Yoshiaki Saito / サイトウ ヨシアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corporation) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-08-27 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-147, ICD2010-62 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.182(SDM), no.183(ICD) |
| ページ範囲 | pp.125-129 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-08-19 (SDM, ICD) |
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