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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-22 17:10
フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ~ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ~
上沼睦典・○川野健太郎奈良先端大/CREST JST)・吉井重雄山下一郎奈良先端大/パナソニック)・浦岡行治奈良先端大/CREST JSTSDM2010-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-48
抄録 (和) 本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵抗変化膜中での伝導パス制御を行なった.C-AFM 測定により金ナノ粒子上に伝導パスの形成を確認した.また、Pt ナノ粒子を配置した抵抗変化メモリは、安定したユニポーラ型の抵抗変化を示した、さらにOFF 状態の抵抗値とフォーミング電圧にナノ粒子の密度依存性が見られた. 
(英) This study reports controlled single conductive path in ReRAM by embedding metal nano particles (NPs) in NiO film. Nano particles produced and placed by ferritin protein produce electric field convergence which leads to the controlled conductive path formation. The conducting paths are confirmed using conducting-AFM. The ReRAM with Pt NPs shows stable switching behavior. A Pt NP density decrease results in an increase of OFF state resistance and decrease of forming voltage, whereas ON resistance was independent from the Pt NP density.
キーワード (和) フェリチンタンパク / ナノ粒子 / 抵抗変化メモリ / / / / /  
(英) Ferritin protein / Nano particle / Resistive memory / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-48, pp. 85-88, 2010年6月.
資料番号 SDM2010-48 
発行日 2010-06-15 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-48

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-06-22 - 2010-06-22 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 
サブタイトル(和) 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 
タイトル(英) Resistive Memory utilizing Ferritin Protein with Nano Particle 
サブタイトル(英) Control of a Current Path using Metal Nano Particle 
キーワード(1)(和/英) フェリチンタンパク / Ferritin protein  
キーワード(2)(和/英) ナノ粒子 / Nano particle  
キーワード(3)(和/英) 抵抗変化メモリ / Resistive memory  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学/CREST JST (略称: 奈良先端大/CREST JST)
Nara Institute of Science and Technology/CREST JST (略称: NAIST/CREST JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 健太郎 / Kentaro Kawano / カワノ ケンタロウ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学/CREST JST (略称: 奈良先端大/CREST JST)
Nara Institute of Science and Technology/CREST JST (略称: NAIST/CREST JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉井 重雄 / Shigeo Yoshii / ヨシイ shゲオ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学/パナソニック (略称: 奈良先端大/パナソニック)
Nara Institute of Science and Technology/Panasonic Corporation (略称: NAIST/Panasonic Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学/パナソニック (略称: 奈良先端大/パナソニック)
Nara Institute of Science and Technology/Panasonic Corporation (略称: NAIST/Panasonic Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学/CREST JST (略称: 奈良先端大/CREST JST)
Nara Institute of Science and Technology/CREST JST (略称: NAIST/CREST JST)
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講演者 第2著者 
発表日時 2010-06-22 17:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-48 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.90 
ページ範囲 pp.85-88 
ページ数
発行日 2010-06-15 (SDM) 


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