講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-06-22 17:10
フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ~ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ~ 上沼睦典・○川野健太郎(奈良先端大/CREST JST)・吉井重雄・山下一郎(奈良先端大/パナソニック)・浦岡行治(奈良先端大/CREST JST) SDM2010-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-48 |
抄録 |
(和) |
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵抗変化膜中での伝導パス制御を行なった.C-AFM 測定により金ナノ粒子上に伝導パスの形成を確認した.また、Pt ナノ粒子を配置した抵抗変化メモリは、安定したユニポーラ型の抵抗変化を示した、さらにOFF 状態の抵抗値とフォーミング電圧にナノ粒子の密度依存性が見られた. |
(英) |
This study reports controlled single conductive path in ReRAM by embedding metal nano particles (NPs) in NiO film. Nano particles produced and placed by ferritin protein produce electric field convergence which leads to the controlled conductive path formation. The conducting paths are confirmed using conducting-AFM. The ReRAM with Pt NPs shows stable switching behavior. A Pt NP density decrease results in an increase of OFF state resistance and decrease of forming voltage, whereas ON resistance was independent from the Pt NP density. |
キーワード |
(和) |
フェリチンタンパク / ナノ粒子 / 抵抗変化メモリ / / / / / |
(英) |
Ferritin protein / Nano particle / Resistive memory / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-48, pp. 85-88, 2010年6月. |
資料番号 |
SDM2010-48 |
発行日 |
2010-06-15 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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