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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-22 14:15 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大）  ED2009-199 SDM2009-196 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-199 SDM2009-196 |
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| 抄録 | （和） | 量子ドットの単電子充放電プロセスにおける確率共鳴的挙動を理論的に解析した．確率共鳴とはゆらぎによって系の応答が高まる現象で，生体機能にも関与している．単電子系に確率共鳴を取り入れることで，大きな問題である熱ゆらぎの影響を緩和できる可能性がある．単電子ダイナミクスをポアソン型トンネルレートとマスター方程式で記述し解析的に解くことにより，量子ドットでの単電子確率共鳴を理論的に証明した．得られた解析式は単電子デバイスシミュレーションの結果と一致し，現象を定量的に説明する．本解析に基づき系パラメータと確率共鳴応答の関係を明らかにした．また現象の実験的観測方法についても言及する． |
| （英） | Stochastic resonance (SR) in single-electron charging and discharging process on quantum dots (QDs) is demonstrated theoretically and its behaviors are analyzed. The SR, in which response of a system is enhanced by fluctuation, has a possibility to solve thermal fluctuation problem in single electron systems. The single electron dynamics is described by a master equation with Poisson-type single electron tunneling rate and it is solved analytically. This analysis demonstrates the single electron SR in a quantum dot system. Deduced formula quantitatively reproduces the response obtained by a single electron device simulator, verifying the validity of the analysis. Correlation between the single electron SR response and device parameters of the QD system is clarified. Experiment observation of the single electron SR is also mentioned. | |
| キーワード | （和） | 確率共鳴 / 単電子 / 量子ドット / 熱ゆらぎ / 単電子トンネリング / / / |
| （英） | Stochastic Resonance / Single Electron / Quantum Dot / Thermal Fluctuation / Single-electron Tunneling / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-199, pp. 17-21, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-199 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-199 SDM2009-196 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-199 SDM2009-196 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis on Stochastic Resonance Behavior of Single Electron in Quantum Dots |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 確率共鳴 / Stochastic Resonance |
| キーワード(2)（和/英） | 単電子 / Single Electron |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(4)（和/英） | 熱ゆらぎ / Thermal Fluctuation |
| キーワード(5)（和/英） | 単電子トンネリング / Single-electron Tunneling |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学/科学技術振興機構さきがけ (略称： 北大/JST) Hokkaido University/PRESTO, JST (略称： Hokkaido Univ/JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori / シラトリ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Universty (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 健輔 / Kensuke Miura / ミウラ ケンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Universty (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-22 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-199, SDM2009-196 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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