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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-22 13:50 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 ○袴田靖文・大野恭秀・前橋兼三（阪大）・葛西誠也（北大）・井上恒一・松本和彦（阪大）  ED2009-198 SDM2009-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-198 SDM2009-195 |
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| 抄録 | （和） | 微弱信号の応答を増幅することを目的として，カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ (CNT-FETs) を用いた確率共鳴現象の研究を行っている．サブスレッショルド領域のCNT-FETのバックゲートに適切な大きさの雑音を加えた微弱入力パルス列を印加したとき，入力パルス列とソース・ドレイン電流間の相関が増大した．さらに，CNT-FETの疑似的加算ネットワークにおいて，相関の増大が観察された．また，相関係数のピーク幅が広がったことから，疑似的加算CNT-FETネットワークが雑音に対してロバストな系であることが示された．従って，確率共鳴現象を基礎とした加算CNT-FETネットワークは高感度非標識センサへの応用が期待できる． |
| （英） | Stochastic resonance in carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) was investigated to enhance weak-signal response. When weak pulse trains were given to the gate of the CNT-FET operating in sub-threshold region, the correlation between the input-pulse and source-drain current increased by adding noise with optimized intensity. Moreover, enhancement of the correlation was observed in a summing network of the CNT-FETs. It was also found that the peak width of correlation coefficient also became wider, indicating that the summing CNT-FET networks were robust against noise. Therefore, the summing CNT-FET networks based on stochastic resonance will be a promising candidate for highly sensitive label-free sensors. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / 確率共鳴 / 雑音 / 信号増幅 / 相関 / / |
| （英） | carbon nanotubes / field-effect transistors / stochastic resonance / noise / signal enhancement / correlation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-198, pp. 11-15, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-198 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-198 SDM2009-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-198 SDM2009-195 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stochastic Resonance Devices Based on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / field-effect transistors |
| キーワード(3)（和/英） | 確率共鳴 / stochastic resonance |
| キーワード(4)（和/英） | 雑音 / noise |
| キーワード(5)（和/英） | 信号増幅 / signal enhancement |
| キーワード(6)（和/英） | 相関 / correlation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 袴田 靖文 / Yasufumi Hakamata / ハカマタ ヤスフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 産業科学研究所 (略称： 阪大) The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka Univ. (略称： ISIR Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 恭秀 / Yasuhide Ohno / オオノ ヤスヒデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 産業科学研究所 (略称： 阪大) The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka Univ. (略称： ISIR Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前橋 兼三 / Kenzo Maehashi / マエハシ ケンゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 産業科学研究所 (略称： 阪大) The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka Univ. (略称： ISIR Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 大学院情報科学研究科 (略称： 北大) Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ. (略称： RCIQE Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 恒一 / Koichi Inoue / イノウエ コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 産業科学研究所 (略称： 阪大) The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka Univ. (略称： ISIR Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto / マツモト カズヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学 産業科学研究所 (略称： 阪大) The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka Univ. (略称： ISIR Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-22 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-198, SDM2009-195 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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