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| 講演名 | 2010-02-22 14:50 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 ○谷川智之・本田善央・山口雅史（名大）  ED2009-200 SDM2009-197 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-200 SDM2009-197 |
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| 抄録 | （和） | 選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性面上では膜厚はエッジ部にいくほど厚くなる傾向を示したが、半極性面上では面内で平坦な結晶が得られた。拡散方程式を用いて数値解析を行い、気相における実効的な拡散長に相当する値を各面において求めた結果、膜厚分布を気相場の影響として解釈することができた。一方、CL測定からみられるInGaN発光は半値幅が広いものの、位置による違いは見られなかった。これらより、立体構造の選択成長における膜厚・組成不均一は気相拡散の影響が最も支配的であるといえる。 |
| （英） | We investigated the InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) thickness and luminescence distribution on non c-plane GaN stripes. In the case of non-polar crystal, InGaN MQW at the edge region was thicker than the center region. On the other hand, we got uniform thickness on semi-polar crystals. We simulated the diffusion process in gas phase and estimated the diffusion length of chemical species on each facets. The estimated results suggested that the non-uniformity of thickness was attributed to the chemical source diffusion from vapor phase. While CL spectra showed broad InGaN peak, there were no difference between the center and edge region. We concluded that non-uniformity of thickness and/or composition might be caused from the vapor diffusion in the selective growth on three dimensional structure. | |
| キーワード | （和） | InGaN / 半極性 / 無極性 / 選択成長 / MOVPE / / / |
| （英） | InGaN / semi-polar / non-polar / selective growth / MOVPE / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-200, pp. 23-28, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-200 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-200 SDM2009-197 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-200 SDM2009-197 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE Growth of InGaN/GaN MQW on a Polar, Semi-polar, and Non-polar GaN Stripes by Selective MOVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 半極性 / semi-polar |
| キーワード(3)（和/英） | 無極性 / non-polar |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective growth |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa / タニカワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-22 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-200, SDM2009-197 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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