講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-29 16:45
SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司(東北大) SDM2009-122 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-122 |
抄録 |
(和) |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造によるドレインリーク電流の低減が可能であることを明らかにした。プレーナ型MESFETでは、微細化を行うとゲート電極とソース・ドレイン領域間で発生するトンネル電流によりゲートリーク電流が増大する。トンネル電流を減少させるためにゲート電極をソース・ドレイン電極より高くしたMESFETによってゲートリーク電流を低減した。また、ダブルゲート構造による2つの電極からの空乏層の重なりにより、ドレインリーク電流を低減した。 |
(英) |
We simulate current-voltage characteristics of scaled Si metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) and show gate leakage current reduction with new gate structure and drain leakage current reduction with double gate structure. Planar scaled MESFETs have large gate leakage current because of tunneling current between gate electrode and source-drain regions. We reduce the gate leakage current by MESFETs with the gate electrode higher than the source-drain electrodes. We also reduce the drain leakage current by overlap of depletion regions from the two gate electrodes of double gate structure. |
キーワード |
(和) |
MESFET / ダブルゲート / ショットキー障壁 / MS接合 / リーク電流 / / / |
(英) |
MESFET / Double Gate / Schottky Barrier / Metal Semiconductor Junction / Leakage Current / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-122, pp. 27-30, 2009年10月. |
資料番号 |
SDM2009-122 |
発行日 |
2009-10-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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