講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-23 16:55
高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD ○板倉成孝・酒井清秀・石村栄太郎・中路雅晴・青柳利隆・平野嘉仁(三菱電機) OCS2009-80 OPE2009-146 LQE2009-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-146 LQE2009-105 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波光伝送用のPDとして,大口径かつ低容量な高RF出力p-i-n PDを開発した.発熱密度を低減するためにPDの受光面積を拡大し,増加した素子容量を低減するために空乏層厚を最適化することで,受光径直径70umのPDで3 dB帯域7 GHzを得た.また,受光面積の拡大により200 mA以上の大光電流を流すことが可能となり,周波数5 GHzにおいてRF出力29.0 dBmを得た.3次相互変調歪による出力インターセプトポイント(OIP3)は37 dBmと良好な特性であった. |
(英) |
We proposed a high-power RF InGaAs/InP p-i-n photodiode (PD) with a non-absorbing drift region for RF photonic links, and demonstrated a 3-dB bandwidth of 7 GHz, an RF power output of 29.0 dBm at 5 GHz, and a third order intercept point of 37 dBm at 5 GHz using a 70-um-diameter PD. |
キーワード |
(和) |
光検出器 / フォトダイオード(PD) / p-i-n PD / マイクロ波フォトニクス / / / / |
(英) |
photodetectors / photodiodes (PD) / p-i-n photodiodes / microwave photonics / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 245, LQE2009-105, pp. 191-195, 2009年10月. |
資料番号 |
LQE2009-105 |
発行日 |
2009-10-15 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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