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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-16 15:50 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝）  SDM2009-107 ICD2009-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-107 ICD2009-23 |
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| 抄録 | （和） | Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析を行った。ゲート長25nmまでのMOSFETにおけるドレイン駆動力Ionに対するNsやVinj、DIBLの影響を分離することで、Tinvスケーリングと共に増加するチャネル内キャリア移動度劣化に対し、Ns向上、DIBL抑制の効果が相対的に大きくなり、MOSFET設計の最適化を行うことで極微細MOSFETにおいてもスケーリングによる素子性能向上を得ることが可能であることを示す。更に、ゲートリーク電流の増加を抑制しつつTinvスケーリングを可能とする界面層の適用により、Ion=1mA/m、Ioff=100nA/m、Lg=25nm、Vdd=1.0V、Avt=1.8mVm、Tinv=1.13nmの素子性能を達成した。 |
| （英） | The trade-off between Tinv scaling and carrier mobility () degradation in deeply scaled HK/MG nMOSFETs has been investigated based on experimental results. Ion components are analyzed in terms of Ns, inj and SCE in Lg=25nm devices for the first time. As a result, it is clarified that the aggressive Tinv scaling can achieve the performance improvement even if  degradation occurs in some degree, because  impact decreases with Lg and Tinv scaling impact becomes strong. Furthermore, we have introduced the effective Tinv scaling (novel SiON) process and demonstrated its excellent device performance (Ion=1mA/m @Ioff=100nA/m, Lg=25nm, Vdd=1.0V, Avt=1.8mVm, Tinv=1.13nm, without any performance booster technology). | |
| キーワード | （和） | MOSFETスケーリング / Tinv / キャリア移動度 / DIBL / high-k絶縁膜 / メタルゲート / / |
| （英） | MOSFET scaling / Tinv / Carrier mobility / DIBL / high-k dielectric / Metal gate electrode / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-107, pp. 53-56, 2009年7月. | |
| 資料番号 | SDM2009-107 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-107 ICD2009-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-107 ICD2009-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Study of Mobility-Tinv Trade-off in Deeply Scaled High-k/Metal Gate Devices and Scaling Design Guideline for 22nm-node Generation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFETスケーリング / MOSFET scaling |
| キーワード(2)（和/英） | Tinv / Tinv |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア移動度 / Carrier mobility |
| キーワード(4)（和/英） | DIBL / DIBL |
| キーワード(5)（和/英） | high-k絶縁膜 / high-k dielectric |
| キーワード(6)（和/英） | メタルゲート / Metal gate electrode |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 正和 / Masakazu Goto / ゴトウ マサカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 犬宮 誠治 / Seiji Inumiya / イヌミヤ セイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楠 直樹 / Naoki Kusunoki / クスノキ ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 敦寛 / Atsuhiro Kinoshita / キノシタ アツヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 聡 / Satoshi Inaba / イナバ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2009-07-16 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-107, ICD2009-23 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
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