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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-05 14:50
パッケージ-チップ間寄生結合を考慮したLSI電源系の高周波特性抽出に関する検討
喜多知広馬淵雄一田中広志久門尚史和田修己京大)・中村 篤ルネサステクノロジEMCJ2009-31
抄録 (和) 電子機器の効率の良いEMC設計法の確立のためには,IC/LSI電源系に流れるノイズ電流のシミュレーションに適したEMCマクロモデルの構築法が必要である.GHz帯の高周波特性のモデル化においては,LSIチップ内部の特性に加えて,チップとLSIパッージの間の結合特性およびパッケージとPCBの間の結合特性が無視できない.本報告では,実測により抽出したベアチップ特性に,数値的に抽出したパッケージパラメータと,チップのシリコンダイとパッケージ配線プレーン間に発生するキャパシタンスを見積もった値をシミュレーション上で追加し,パッケージにマウントされたチップ外部特性の実測値を周波数4GHz程度まで精度良くモデル化したことを報告する. 
(英) To establish more efficient EMC designing method of electronic apparatuses, constructing a precise EMC macromodel of IC/LSI power supply blocks is needed for simulation of noise levels of current flowing through
the power distribution networks. For modeling in GHz frequency range, the characteristics between a chip and its package, or a package and a PCB should be considered. In this report, the impedance characteristics of a chip mounted on a BGA package is evaluated based on bare-chip characteristics extracted by measurement, package parameters identified by numerical simulation, and the estimated value of capacitance existing between the silicon die and the package plane. Good agreement between simulation and measurement is obtained up to about 4 GHz.
キーワード (和) LSIパッケージ / EMCマクロモデル / チップ-パッケージ統合設計 / 寄生容量 / LSI電源系 / / /  
(英) LSI package / EMC macromodel / chip-package co-design / parasitic capacitance / LSI power distribution network / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 76, EMCJ2009-31, pp. 51-56, 2009年6月.
資料番号 EMCJ2009-31 
発行日 2009-05-29 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2009-31

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2009-06-05 - 2009-06-05 
開催地(和) 東京ビッグサイト(東京国際展示場) 
開催地(英) Tokyo Big Sight (Tokyo International Exihibition Center) 
テーマ(和) 若手研究者発表会〔エレクトロニクス実装学会・電磁特性技術委員会共催〕 
テーマ(英) Young Scientists Award for Excellent Presentations 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2009-06-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パッケージ-チップ間寄生結合を考慮したLSI電源系の高周波特性抽出に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study for extracting the characteristics of LSI power supply at high frequency including the parasitic coupling between package and chip 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) LSIパッケージ / LSI package  
キーワード(2)(和/英) EMCマクロモデル / EMC macromodel  
キーワード(3)(和/英) チップ-パッケージ統合設計 / chip-package co-design  
キーワード(4)(和/英) 寄生容量 / parasitic capacitance  
キーワード(5)(和/英) LSI電源系 / LSI power distribution network  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 喜多 知広 / Tomohiro Kita / キタ トモヒロ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬淵 雄一 / Yuichi Mabuchi / マブチ ユウイチ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 広志 / Hiroshi Tanaka / タナカ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 久門 尚史 / Takashi Hisakado / ヒサカド タカシ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 修己 / Osami Wada / ワダ オサミ
第5著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 篤 / Atsushi Nakamura / ナカムラ アツシ
第6著者 所属(和/英) 株式会社 ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-05 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2009-31 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.76 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数
発行日 2009-05-29 (EMCJ) 


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