講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-14 11:05
7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造 ○奥村俊介・藤原英弘・井口友輔・野口紘希・川口 博(神戸大)・吉本雅彦(神戸大/JST) ICD2009-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-7 |
抄録 |
(和) |
本稿ではハーフセレクト対策を考慮した7T/14TディペンダブルSRAMを提案する.ディペンダブルSRAMは1ビットのデータを1つのメモリセルに記憶する7T通常モードと,2つのメモリセルで記憶する14T高信頼性モードを有し,これらの動作モードの切替えによって動的に信頼性を改善することが可能となる.65nmプロセスの試作によって,従来の6Tメモリセル,7T通常モードと比較した結果,最低動作電圧がそれぞれ0.24Vと0.18V改善され,動作モードの切替えによる動的な信頼性の改善機能を実現した. |
(英) |
We propose a novel dependable SRAM with 7T cells and their array structure that avoids a half-selection problem. The dependable SRAM has normal mode and dependable mode, and dynamically scales its reliability two memory cells for one-bit information (i.e. 14T/bit). The test chip fabricated in a 65-nm process technology demonstrated that the minimum voltages of conventional 6T memory cell and 7T normal mode are improved by 0.24V and 0.18V, respectively. We realized 7T/14T dependable SRAM which can dynamically change its reliability. |
キーワード |
(和) |
SRAM / Dependability / / / / / / |
(英) |
SRAM / Dependability / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-7, pp. 33-38, 2009年4月. |
資料番号 |
ICD2009-7 |
発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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