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講演抄録/キーワード
講演名 2009-04-14 13:00
[招待講演]NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ
二山拓也藤田憲浩常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭東芝)・亀井輝彦那須弘明サンディスク)・岩井 信加藤光司福田康之金川直晃安彦尚文東芝)・松本雅英サンディスク)・姫野敏彦橋本寿文東芝ICD2009-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-8
抄録 (和) 32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微細化と3ビット/セル技術の導入により、チップサイズ113mm2を実現した。プレスリリースされている32GビットNANDフラッシュとしては世界最小かつ最高密度であり、マイクロSDカードに実装できるNANDフラッシュメモリとしては世界最大容量を実現した。本発表では、最近のNANDフラッシュメモリの技術動向に関してもあわせて紹介する。 
(英) A 113mm2 32Gbit 3bit/cell (8-levels) NAND Flash memory using 32nm CMOS technology is developed. This 32Gbit Flash die is sufficiently small to fir the microSD memory card format. This is achieved by a combination of 3bit/cell technology and feature-size scaling. In addition, recent technology trend of NAND Flash memory is introduced.
キーワード (和) NANDフラッシュメモリー / 32nm CMOS 技術 / 3ビット/セル / / / / /  
(英) NAND Flash memory / 32nm CMOS Technology / 3bit/cell / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-8, pp. 39-42, 2009年4月.
資料番号 ICD2009-8 
発行日 2009-04-06 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2009-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-8

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2009-04-13 - 2009-04-14 
開催地(和) 大観荘(宮城県松島町) 
開催地(英) Daikanso (Matsushima, Miyagi) 
テーマ(和) メモリ技術 
テーマ(英) Semiconductor Memory Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2009-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 113mm2 32Gb 3bit/Cell NAND Flash Memory and Recent Technology Trend of NAND Flash Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NANDフラッシュメモリー / NAND Flash memory  
キーワード(2)(和/英) 32nm CMOS 技術 / 32nm CMOS Technology  
キーワード(3)(和/英) 3ビット/セル / 3bit/cell  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 二山 拓也 / Takuya Futatsuyama / フタツヤマ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 憲浩 / Norihiro Fujita / フジタ ノリヒロ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 常盤 直哉 / Naoya Tokiwa / トキワ ナオヤ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 進藤 佳彦 / Yoshihiko Shindo / シンドウ ヨシヒコ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 枝広 俊昭 / Toshiaki Edahiro / エダヒロ トシアキ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀井 輝彦 / Teruhiko Kamei / カメイ テルヒコ
第6著者 所属(和/英) サンディスク (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 那須 弘明 / Hiroaki Nasu / ナス ヒロアキ
第7著者 所属(和/英) サンディスク (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 信 / Makoto Iwai / イワイ マコト
第8著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 光司 / Koji Kato / カトウ コウジ
第9著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 康之 / Yasuyuki Fukuda / フクダ ヤスユキ
第10著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 金川 直晃 / Naoaki Kanagawa / カナガワ ナオアキ
第11著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 安彦 尚文 / Naofumi Abiko / アビコ ナオフミ
第12著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 雅英 / Masahide Matsumoto / マツモト マサヒデ
第13著者 所属(和/英) サンディスク (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 姫野 敏彦 / Toshihiko Himeno / ヒメノ トシヒコ
第14著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 寿文 / Toshifumi Hashimoto / ハシモト トシフミ
第15著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-04-14 13:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2009-8 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.39-42 
ページ数
発行日 2009-04-06 (ICD) 


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