講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-14 13:00
[招待講演]NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ ○二山拓也・藤田憲浩・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭(東芝)・亀井輝彦・那須弘明(サンディスク)・岩井 信・加藤光司・福田康之・金川直晃・安彦尚文(東芝)・松本雅英(サンディスク)・姫野敏彦・橋本寿文(東芝) ICD2009-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-8 |
抄録 |
(和) |
32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微細化と3ビット/セル技術の導入により、チップサイズ113mm2を実現した。プレスリリースされている32GビットNANDフラッシュとしては世界最小かつ最高密度であり、マイクロSDカードに実装できるNANDフラッシュメモリとしては世界最大容量を実現した。本発表では、最近のNANDフラッシュメモリの技術動向に関してもあわせて紹介する。 |
(英) |
A 113mm2 32Gbit 3bit/cell (8-levels) NAND Flash memory using 32nm CMOS technology is developed. This 32Gbit Flash die is sufficiently small to fir the microSD memory card format. This is achieved by a combination of 3bit/cell technology and feature-size scaling. In addition, recent technology trend of NAND Flash memory is introduced. |
キーワード |
(和) |
NANDフラッシュメモリー / 32nm CMOS 技術 / 3ビット/セル / / / / / |
(英) |
NAND Flash memory / 32nm CMOS Technology / 3bit/cell / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-8, pp. 39-42, 2009年4月. |
資料番号 |
ICD2009-8 |
発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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