講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-14 10:15
[依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM ○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章(東芝) ICD2009-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-5 |
抄録 |
(和) |
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,ワード線電位を2電源間の9段階に分割した任意のレベルに設定可能なワード線ドライバ,および読み出し/書込みでのセル電源動的制御回路を提案した.これにより,従来よりも小さなセルトランジスタを使用しても安定動作が可能となるため,同一デザインルールでより高密度なセルを実現できる.40nm CMOSプロセスにおいて,スケーリングトレンドに比べ10%小さい0.179$\mu$m2セルを使用した512Kb SRAMを試作し,3桁以上のセル不良率改善を確認した. |
(英) |
We present a dual-power-supply SRAM with 0.179$\mu$m2 cell in 40nm CMOS, which is 10% smaller than the SRAM scaling trend. To improve the cell stability, the level-programmable wordline driver and dynamic array supply control are introduced. The cell failure rate is improved more than three orders of magnitude. |
キーワード |
(和) |
高密度SRAM / 2電源 / ワード線ドライバ / / / / / |
(英) |
High-Density SRAM / Dual-Power-Supply / Wordline Driver / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-5, pp. 21-26, 2009年4月. |
資料番号 |
ICD2009-5 |
発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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