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| 講演名 | 2009-04-13 15:40 ［パネル討論］低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か? ○日高秀人（ルネサステクノロジ）・山岡雅直（日立）・宮野信冶（東芝）・秋山 悟（日立）・杉林直彦（NEC）・川嶋将一郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・尾坂匡隆（パナソニック）  ICD2009-4 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2009-4 |
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| 抄録 | （和） | SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力の問題などから、一部DRAMなどへの置き換えの機運がある。 また、ゼロ待機電力化の観点から、フラッシュメモリなど不揮発性メモリも多くのシステムで使われ始めた。 また、これら低電圧・低待機電力の双方の要求を満たす可能性があるFeRAMやMRAMなどの新規メモリを含め、将来のメモリ低消費電力化の可能性低電圧システム向けに今後有望なメモリ技術に関して専門家パネリストによる討議を行って定見を得、特に、以下について一定の結論を導く。 (1) システムからのメモリへの低電圧・低消費電力化要求の確認 （SOC、PC、SSD等より、動作時か待機時か？ メモリコアかインタフェース か？等） (2) 各メモリ技術の低電圧・低電力化の可能性と課題 SRAM、DRAM、フラッシュ、新規メモリについて (3) 低電圧・低電力化観点でのメモリ置換の可能性と課題 ・混載SRAMの低電圧動作限界と他メモリによる置換可能性 ・メモリ間欠動作の有効性と、不揮発性メモリによる低電圧・低消費化の 可能性、不揮発性RAMの可能性など |
| （英） | A panel discussion session will high-light low-voltage memory trends, limitations, and future prospects by discussing on; (1) What is the true low-voltage/low-power requirements for memories in various systems and SoC? (2) Voltage scalability and power reduction capability in various memory technologies. (3) Possible revolutionary memory replacement and/or memory evolution schemes intended for low-voltage/low-power SoC. |
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| キーワード | （和） | 低電圧メモリ / 低消費電力メモリ / SRAM / DRAM / フラッシュメモリ / 新規メモリ / 不揮発性RAM / |
| （英） | low-voltage memory / low-power memory / SRAM / DRAM / flash memory / emerging memory / NV-RAM / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-4, pp. 19-19, 2009年4月. | |
| 資料番号 | ICD2009-4 | |
| 発行日 | 2009-04-06 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2009-4 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2009-4 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2009-04-13 - 2009-04-14 |
| 開催地（和） | 大観荘（宮城県松島町） |
| 開催地（英） | Daikanso (Matsushima, Miyagi) |
| テーマ（和） | メモリ技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor Memory Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2009-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か? |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Which memory technology win win the low-VDD race in SoC? |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低電圧メモリ / low-voltage memory |
| キーワード(2)（和/英） | 低消費電力メモリ / low-power memory |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(4)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(5)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(6)（和/英） | 新規メモリ / emerging memory |
| キーワード(7)（和/英） | 不揮発性RAM / NV-RAM |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジー (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Tech. Corp. (略称： Renesas Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山岡 雅直 / Masanao Yamaoka / ヤマオカ マサナオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信冶 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋山 悟 / Satoru Akiyama / アキヤマ サトル |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉林 直彦 / Tadahiko Sugibayashi / スギバヤシ タダヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川嶋 将一郎 / Syoichiro Kawashima / カワシマ ショウイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通マイクロエレクトロニクス (略称： 富士通マイクロエレクトロニクス) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Limited) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾坂 匡隆 / Masataka Osaka / オサカ マサタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-04-13 15:40:00 |
| 発表時間 | 140分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2009-4 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.2 |
| ページ範囲 | p.19 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2009-04-06 (ICD) |
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