講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-04-18 14:20
半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ ○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・斉藤信作・加藤有光・笠井直記(NEC) ICD2008-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-13 |
抄録 |
(和) |
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作を実証した。本メモリマクロは、半ピッチシフト配置されたビット線分離型の2T1MTJセル(6.97um2)によりメモリアレイが形成されている。この方式はビット線の寄生容量を削減でき、対称性の良いセンス動作が可能になることから動作周波数をSRAMと同程度にまで高速化が可能となった。このMRAMマクロは混載SRAMインターフェースと互換であり、将来のSoCへ適用できる見通しを得た。 |
(英) |
A 250-MHz 1-Mbit MRAM macro is demonstrated in a 0.15-um standard CMOS process with 1.5V supply. Its clock frequency is the highest among the MRAMs that have been reported. It has a highly compatible embedded-SRAM interface. The macro is designed using a 6.97-um2 bitline separated and half-pitch shifted 2-transistor 1-magnetic tunnel junction (2T1MTJ) cell. The half-pitch-shift arrangement enables efficient reduction of bitline capacitance and a symmetrical reading scheme, which accelerates the random access clock frequency to the same speed as that of SRAMs. The technology will help to achieve MRAM embedded systems on chips (SoCs). |
キーワード |
(和) |
混載MRAM / 高速MRAM / 2T1MTJセル / 半ピッチシフト配置方式 / 分割ビット線方式 / / / |
(英) |
Embedded MRAMs / High-speed MRAM / 2T1MTJ cell structure / Half-pitch-shift arrangement / Multi-divided bitline architecture / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-13, pp. 69-74, 2008年4月. |
資料番号 |
ICD2008-13 |
発行日 |
2008-04-10 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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