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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-17 13:55
43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発
中村 大神田和重小柳 勝山村俊雄細野浩司吉原正浩東芝)・三輪 達加藤洋介サンディスク)・Alex MakSiu Lung ChanFrank TsaiRaul CerneaBinh Leサンディスクコーポレーション)・牧野英一平 隆志東芝ICD2008-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-5
抄録 (和) 43nm CMOS テクノロジを用いた16 ギガビット4 値NAND フラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コントロールゲートドライバー回路を用いた構成とし、アレー上にパワーバス配線を配することでチップサイズ120mm2 を実現し、micro SDカードへ実装可能とした.デュアルステージドライバーを用いることで1.8V VCCQで25ns のサイクルタイムを実現した. 
(英) A 120mm2 16Gb MLC NAND flash memory is developed using 43nm CMOS. The area is reduced by more than 9% by applying a 66 NAND strings with a control-gate-driver circuit and power bus on memory cell array. Thus, a 16Gb chip capable of fitting into a micro SD memory card is obtained.
キーワード (和) NAND フラッシュメモリ / 43nm / CMOS / micro SD カード / / / /  
(英) NAND Flash Memory / 43nm / CMOS / micro SD card / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-5, pp. 25-30, 2008年4月.
資料番号 ICD2008-5 
発行日 2008-04-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2008-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-5

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2008-04-17 - 2008-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2008-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NAND フラッシュメモリ / NAND Flash Memory  
キーワード(2)(和/英) 43nm / 43nm  
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(4)(和/英) micro SD カード / micro SD card  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 大 / Dai Nakamura / ナカムラ ダイ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 和重 / Kazushige Kanda / カンダ カズシゲ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小柳 勝 / Masaru Koyanagi / コヤナギ マサル
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山村 俊雄 / Toshio Yamamura / ヤマムラ トシオ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 細野 浩司 / Koji Hosono / ホソノ コウジ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉原 正浩 / Masahiro Yoshihara / ヨシハラ マサヒロ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 三輪 達 / Toru Miwa / ミワ トオル
第7著者 所属(和/英) サンディスク株式会社 (略称: サンディスク)
Sandisk (略称: Sandisk)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 洋介 / Yosuke Kato / カトウ ヨウスケ
第8著者 所属(和/英) サンディスク株式会社 (略称: サンディスク)
Sandisk (略称: Sandisk)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) Alex Mak / Alex Mak /
第9著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスクコーポレーション)
Sandisk Corporation (略称: Sandisk Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) Siu Lung Chan / Siu Lung Chan /
第10著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスクコーポレーション)
Sandisk Corporation (略称: Sandisk Corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) Frank Tsai / Frank Tsai /
第11著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスクコーポレーション)
Sandisk Corporation (略称: Sandisk Corp.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) Raul Cernea / Raul Cernea /
第12著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスクコーポレーション)
Sandisk Corporation (略称: Sandisk Corp.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) Binh Le / Binh Le /
第13著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスクコーポレーション)
Sandisk Corporation (略称: Sandisk Corp.)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 英一 / Eiichi Makino / マキノ エイイチ
第14著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 平 隆志 / Takashi Taira / タイラ タカシ
第15著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-17 13:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2008-5 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数
発行日 2008-04-10 (ICD) 


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