講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-04-17 13:55
43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発 ○中村 大・神田和重・小柳 勝・山村俊雄・細野浩司・吉原正浩(東芝)・三輪 達・加藤洋介(サンディスク)・Alex Mak・Siu Lung Chan・Frank Tsai・Raul Cernea・Binh Le(サンディスクコーポレーション)・牧野英一・平 隆志(東芝) ICD2008-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-5 |
抄録 |
(和) |
43nm CMOS テクノロジを用いた16 ギガビット4 値NAND フラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コントロールゲートドライバー回路を用いた構成とし、アレー上にパワーバス配線を配することでチップサイズ120mm2 を実現し、micro SDカードへ実装可能とした.デュアルステージドライバーを用いることで1.8V VCCQで25ns のサイクルタイムを実現した. |
(英) |
A 120mm2 16Gb MLC NAND flash memory is developed using 43nm CMOS. The area is reduced by more than 9% by applying a 66 NAND strings with a control-gate-driver circuit and power bus on memory cell array. Thus, a 16Gb chip capable of fitting into a micro SD memory card is obtained. |
キーワード |
(和) |
NAND フラッシュメモリ / 43nm / CMOS / micro SD カード / / / / |
(英) |
NAND Flash Memory / 43nm / CMOS / micro SD card / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-5, pp. 25-30, 2008年4月. |
資料番号 |
ICD2008-5 |
発行日 |
2008-04-10 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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