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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-16 15:50 CW20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器 ○村瀬康裕・分島彰男・井上 隆・山之口勝己・田能村昌宏・中山達峰・岡本康宏・大田一樹・安藤裕二・黒田尚孝・松永高治・宮本広信（新機能素子研究開発協会/NEC）  ED2007-212 MW2007-143 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-212 MW2007-143 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaNトランジスタを用いた準ミリ波帯高出力増幅器モジュールを作製した。電流コラプスを抑え高出力化を図るため、リセスゲート構造とフィールドプレート電極構造を組み合わせた、短ゲート電極形成プロセスを開発した。大きなゲート幅での利得の低下を抑えるため、FETのレイアウトを検討した。試作した準ミリ波帯高出力増幅器モジュールで、26 GHzにおいて、出力20.7 Wを得た。この出力は、電力合成したMMIC増幅器を含め、準ミリ波帯増幅器では最高出力である。 |
| （英） | This paper describes an AlGaN/GaN FET power amplifier module delivering a continuous wave (CW) output power of more than 20 W at 26 GHz. To achieve high breakdown characteristics with reduced current collapse and high gain, we have developed a 0.2 μm-long recessed-gate AlGaN/GaN FET with a field-modulating plate (FP), achieving high operation voltage of 25 V even at quasi-millimeter wave frequencies. A single-ended AlGaN/GaN FP-FET amplifier module for quasi-millimeter wave frequency has been fabricated for the first time. The amplifier module developed using 6.3-mm-wide single chip recessed-gate AlGaN/GaN FP-FET exhibited an output power of 20.7 W, a linear gain of 5.4 dB and a power-aided efficiency of 21.3% at 26 GHz. This is the highest output powers in solid state power amplifier at over 20 GHz. | |
| キーワード | （和） | 準ミリ波 / GaN / 増幅器 / / / / / |
| （英） | GaN / power amplifier / quasi-millimeter wave / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 420, ED2007-212, pp. 33-38, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-212 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-212 MW2007-143 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-212 MW2007-143 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CW20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CW ２０-W AlGaN/GaN FET power amplifier for quasi-millimeter wave applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 準ミリ波 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 増幅器 / quasi-millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村瀬 康裕 / Yasuhiro Murase / ムラセ ヤスヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 分島 彰男 / Akio Wakejima / ワケジマ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 隆 / Takashi Inoue / イノウエ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山之口 勝己 / Katsumi Yamanoguchi / ヤマノグチ カツミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田能村 昌宏 / Masahiro Tanomura / タノムラ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 達峰 / Tatsuo Nakayama / ナカヤマ タツオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 康宏 / Yasuhiro Okamoto / オカモト ヤスヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 一樹 / Kazuki Ota / オオタ カズキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 裕二 / Yuji Ando / アンドウ ユウジ |
| 第9著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 尚孝 / Naotaka Kuroda / クロダ ナオタカ |
| 第10著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松永 高治 / Kohji Matsunaga / マツナガ コウジ |
| 第11著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 広信 / Hironobu Miyamoto / ミヤモト ヒロノブ |
| 第12著者 所属（和/英） | 財団法人新機能素子研究開発協会 (略称： 新機能素子研究開発協会/NEC) R&D Association for Future Electron Devices (略称： FED) |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-212, MW2007-143 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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