お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2007-12-14 16:55
選択成長を用いたSOI基板上Ge pin フォトダイオ-ドのレスポンシビティスペクトラム
朴 成鳳石川靖彦和田一実東大)・土澤 泰渡辺俊文山田浩治板橋聖一NTTエレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2007-144
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) We investigated the strain effect on spectral responsivity of Ge photodiodes. Ge vertical pin photodiodes with the size of 10x200 (m) were fabricated via selective epitaxial growth (SEG) of Ge on a Si-on-insulator substrate (SOI). The responsivity spectrum was extended to the longer wavelength regime (absorption red-shift) than the absorption spectrum of an unstrained Ge, which is due to tensile strain in the Ge mesa. However, the degree of the red-shift was diminished compared to the photodiode fabricated by Ge blanket growth on bulk Si substrates. This indicates that the selective Ge mesa on SOI is less strained than the blanket Ge on a bulk Si. By utilizing the localized reciprocal space mapping, the strain distribution in the selective Ge mesa was described. As experimental parameters such as Ge thickness, annealing temperature and annealing duration were fixed, strains in Ge epilayers on a SOI and a bulk Si substrates were compared. The mechanisms of decrease of responsivity red-shift in the photodiode fabricated by Ge SEG on SOI will be discussed.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Ge photodiode / selective epitaxial growth / Si-on-insulator / responsivity / strain relaxation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 389, OPE2007-144, pp. 47-51, 2007年12月.
資料番号 OPE2007-144 
発行日 2007-12-07 (OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2007-144

研究会情報
研究会 OPE  
開催期間 2007-12-14 - 2007-12-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2007-12-OPE 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) 選択成長を用いたSOI基板上Ge pin フォトダイオ-ドのレスポンシビティスペクトラム 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Spectral responsivity of Ge pin photodiodes on silicon-on-insulator via selective epitaxial growth 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Ge photodiode  
キーワード(2)(和/英) / selective epitaxial growth  
キーワード(3)(和/英) / Si-on-insulator  
キーワード(4)(和/英) / responsivity  
キーワード(5)(和/英) / strain relaxation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 朴 成鳳 / Sungbong Park / パク ソンボン
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 一実 / Kazumi Wada / ワダ カズミ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 土澤 泰 / Tai Tsuchizawa / ツチザワ タイ
第4著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 俊文 / Toshifumi Watanabe / ワタナベ トシフミ
第5著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 浩治 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ
第6著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 板橋 聖一 / Seiichi Itabashi / イタバシ セイイチ
第7著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2007-12-14 16:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OPE 
資料番号 OPE2007-144 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.389 
ページ範囲 pp.47-51 
ページ数
発行日 2007-12-07 (OPE) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会