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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-12-14 14:10 Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 ○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）  SDM2007-230 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-230 |
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| 抄録 | （和） | ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて，エピタキシャル成長したFe3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した．軸配向性は堆積温度に強く依存し，200℃以上で劣化することが分かった．そこで，本研究では堆積温度200℃における軸配向性の劣化を明らかにするために，RBS, 電子線回折(ED)およびイオンチャネリング・ディップ測定を用いて軸配向性を検討した．その結果，堆積温度200℃における軸配向性の劣化は，Ge(111)面でのエピタキシャル成長時のFe3Si<111>軸の傾斜成長が原因であることを明らかにした． |
| （英） | The axial orientation of epitaxially grown Fe3Si on Ge(111) has been investigated by Rutherford Backscattering spectroscopy. It has been reported that the axial orientation is highly dependent on growth temperature (TG), and that the degradation of axial orientation is caused above TG=200oC. In this study, we have investigated the axial orientation of Fe3Si/Ge(111) grown at 200oC by electron diffraction and measurement of channel dip curves. We found that the degradation of axial orientation observed at TG=200oC was attributed mainly to the tilt of Fe3Si<111> axis. | |
| キーワード | （和） | エピタキシャル成長 / Fe3Si / ラザフォード後方散乱分光法 / 電子線回折 / / / / |
| （英） | Epitaxial growth / Fe3Si / Rutherford backscattering spectroscopy / Electron diffraction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-230, pp. 35-38, 2007年12月. | |
| 資料番号 | SDM2007-230 | |
| 発行日 | 2007-12-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-230 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-230 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-12-14 - 2007-12-14 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | Nara Institute Science and Technology |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Silicon related material, process and device |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Axial orientation of epitaxially grown Fe3Si on Ge(111) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | Fe3Si / Fe3Si |
| キーワード(3)（和/英） | ラザフォード後方散乱分光法 / Rutherford backscattering spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線回折 / Electron diffraction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平岩 佑介 / Yusuke Hiraiwa / ヒライワ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 裕一郎 / Yu-ichiro Ando / ユウイチロウ アンドウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊野 守 / Mamoru Kumano / クマノ マモル |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 公二 / Koji Ueda / ウエダ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第6著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳴海 一雅 / Kazumasa Narumi / ナルミ カズマサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 佳均 / Yoshihito Maeda / マエダ ヨシヒト |
| 第8著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-12-14 14:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-230 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.388 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-12-07 (SDM) |
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