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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-01 11:15 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード ○村本好史・吉松俊英・児玉 聡・中島史人・古田知史・伊藤 弘（NTT）  OCS2007-44 OPE2007-99 LQE2007-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2007-99 LQE2007-85 |
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| 抄録 | （和） | p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するフォトダイオードは、全光吸収層厚に対して各層厚比を最適化することで通常のPDよりも高い帯域を得ることが可能である。本報告ではその最適化手法を明らかにすると共に、デジタル応用のための40Gbit/s級PDを作製し、光吸収層厚を0.8μmとした素子で受光感度0.98A/W、3dB帯域50GHzの高速・高感度特性を実現した。またアナログ応用のための15GHz級PDを作製し、歪特性について評価した結果、同程度の光吸収層厚を有するpin-PDと比較して良好な線形性と5～10dB以上高い3次インターセプトポイント（IP3）が得られた。これらの結果は、本構造のPDがアナログ応用にも適していることを示している。 |
| （英） | We proposed a new design principle for a photodiode structure that has a depleted InGaAs absorption layer combined with a neutral p-type InGaAs absorption layer. When the total thickness of the absorption layer is constant, the thickness ratio between those two layers has an optimum value to minimize the carrier delay time and yield the highest bandwidth. This optimal structure simultaneously provides the highest efficiency for a required bandwidth. A fabricated photodiode with a 0.8-m InGaAs absorption layer yielded a responsivity of 0.98 A/W and a bandwidth of 50 GHz, demonstrating a superior efficiency/bandwidth tradeoff over a conventional pin photodiode. In addition, the fabricated device exhibited better linearity and 5-10 dB smaller distortion component (IP3), indicating its feasibility for analog applications. | |
| キーワード | （和） | フォトダイオード / 高速 / 高感度 / 低歪み / / / / |
| （英） | Photodiode / High speed / High efficiency / Low distortion / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 302, LQE2007-85, pp. 23-27, 2007年11月. | |
| 資料番号 | LQE2007-85 | |
| 発行日 | 2007-10-25 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2007-44 OPE2007-99 LQE2007-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2007-99 LQE2007-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE OCS |
| 開催期間 | 2007-11-01 - 2007-11-02 |
| 開催地（和） | 九州工業大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速 伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2007-11-LQE-OPE-OCS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed, high-efficient photodiode with p-InGaAs/i-InGaAs absorption layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトダイオード / Photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 高速 / High speed |
| キーワード(3)（和/英） | 高感度 / High efficiency |
| キーワード(4)（和/英） | 低歪み / Low distortion |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村本 好史 / Yoshifumi Muramoto / ムラモト ヨシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉松 俊英 / Toshihide Yoshimatsu / ヨシマツ トシヒデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 児玉 聡 / Satoshi Kodama / コダマ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 知史 / Tomofumi Furuta / フルタ トモフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 弘 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-01 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OCS2007-44, OPE2007-99, LQE2007-85 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.300(OCS), no.301(OPE), no.302(LQE) |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-10-25 (OCS, OPE, LQE) |
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