講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-12-16 14:00
集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器 ○内田浩司・高山洋一郎・藤田孝之・前中一介(兵庫県立大) エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2005-137 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波帯で使用する1トランジスタ集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器の構成法を提案し,設計・試作を行った.本電力増幅器は著者らが以前に報告した,集中定数デュアルバンドGaAs FET電力増幅器[12-14]を応用したものであり,PINダイオードのスイッチングによりバンドを切り替える.整合回路の基本設計にはチェビシェフ低域通過形インピーダンス変換回路の設計法を用いた.電力増幅器に使用するPINダイオード数が2個の構成と1個の構成を検討した.試作したトライバンドGaAs FET電力増幅器の特性より,マルチバンド増幅器の小型化・高性能化に有用なトライバンド化構成・設計法であることを確認した. |
(英) |
Tri-band GaAs FET power amplifiers with a single transistor using lumped element matching circuits are designed and fabricated. The dual-band GaAs FET power amplifier[12-14] is applied to the tri-band power amplifier configuration by using PIN diode switching. The matching circuits are designed using the Chebyshev low-pass type impedance transformer design method. We investigated the tri-band GaAs FET power amplifiers with a PIN diode and two PIN diodes configurations. Their superior performance is confirmed by experimental study of tri-band GaAs FET power amplifiers, and it is believed that this circuit configuration method is useful technique for downsizing and high performance of multiband amplifiers. |
キーワード |
(和) |
トライバンド電力増幅器 / 集中定数 / チェビシェフ低域通過形インピーダンス変換回路 / GaAs FET / PINダイオード / / / |
(英) |
Tri-band power amplifier / Lumped element / Chebyshev low-pass type impedance transformer / GaAs FET / PIN diode / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 486, MW2005-137, pp. 55-60, 2005年12月. |
資料番号 |
MW2005-137 |
発行日 |
2005-12-09 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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