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講演抄録/キーワード
講演名 2005-12-16 14:00
集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器
内田浩司高山洋一郎藤田孝之前中一介兵庫県立大エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2005-137
抄録 (和) マイクロ波帯で使用する1トランジスタ集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器の構成法を提案し,設計・試作を行った.本電力増幅器は著者らが以前に報告した,集中定数デュアルバンドGaAs FET電力増幅器[12-14]を応用したものであり,PINダイオードのスイッチングによりバンドを切り替える.整合回路の基本設計にはチェビシェフ低域通過形インピーダンス変換回路の設計法を用いた.電力増幅器に使用するPINダイオード数が2個の構成と1個の構成を検討した.試作したトライバンドGaAs FET電力増幅器の特性より,マルチバンド増幅器の小型化・高性能化に有用なトライバンド化構成・設計法であることを確認した. 
(英) Tri-band GaAs FET power amplifiers with a single transistor using lumped element matching circuits are designed and fabricated. The dual-band GaAs FET power amplifier[12-14] is applied to the tri-band power amplifier configuration by using PIN diode switching. The matching circuits are designed using the Chebyshev low-pass type impedance transformer design method. We investigated the tri-band GaAs FET power amplifiers with a PIN diode and two PIN diodes configurations. Their superior performance is confirmed by experimental study of tri-band GaAs FET power amplifiers, and it is believed that this circuit configuration method is useful technique for downsizing and high performance of multiband amplifiers.
キーワード (和) トライバンド電力増幅器 / 集中定数 / チェビシェフ低域通過形インピーダンス変換回路 / GaAs FET / PINダイオード / / /  
(英) Tri-band power amplifier / Lumped element / Chebyshev low-pass type impedance transformer / GaAs FET / PIN diode / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 486, MW2005-137, pp. 55-60, 2005年12月.
資料番号 MW2005-137 
発行日 2005-12-09 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2005-137

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2005-12-16 - 2005-12-16 
開催地(和) 広島市立大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2005-12-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Tri-band GaAs FET Power Amplifier Using Lumped Elements 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トライバンド電力増幅器 / Tri-band power amplifier  
キーワード(2)(和/英) 集中定数 / Lumped element  
キーワード(3)(和/英) チェビシェフ低域通過形インピーダンス変換回路 / Chebyshev low-pass type impedance transformer  
キーワード(4)(和/英) GaAs FET / GaAs FET  
キーワード(5)(和/英) PINダイオード / PIN diode  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 浩司 / Koji Uchida / ウチダ コウジ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 孝之 / Takayuki Fujita / フジタ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 前中 一介 / Kazusuke Maenaka / マエナカ カズスケ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-12-16 14:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2005-137 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.486 
ページ範囲 pp.55-60 
ページ数
発行日 2005-12-09 (MW) 


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