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講演抄録/キーワード
講演名 2005-11-17 14:00
Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT
天清宗山後藤清毅志賀俊彦戸塚正裕佐々木 肇國井徹郎山本佳嗣井上 晃奥 友希石川高英三菱電機エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-166 MW2005-121
抄録 (和) ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯pHEMT構造の高耐湿化を検討した。高出力FETのゲートバリア金属として使用されるWSi及びWSiNは耐湿性が低く、また低誘電率膜等の厚膜積層はゲート容量の増大をもたらす。これらを解決するため、今回我々は耐腐食性に優れるTaを使用したTaN/Auゲート構造、および防湿性に優れたCat-CVD法積層SiNx表面保護膜を適用したトランジスタを開発し、構造変更による特性劣化なく高湿保存1000時間後のId低下率が10%以下という高い耐湿性を確認した。開発トランジスタのKa帯パワー特性を評価した結果、Psat=0.8W/mm, Glp=8.5dB, PAE=40% (Vd=8V)と非常に良好な性能を確認できた。 
(英) A 0.8 W/mm high power pHEMT with high resistance to humidity is reported. By using tantalum nitride as the refractory gate metal and a silicon nitride layer prepared by a catalytic chemical vapor deposition technique for passivation of this transistor, tough moisture resistance was obtained showing no Id degradation even after 1000 hours at 130 degrees centigrade and 85% humidity. Moreover, the Schottky breakdown voltage of the TaN gate is higher than that of a WSiN gate. A one-stage prematched amplifier with the new pHEMT has achieved 0.8 W/mm output power at Vd = 8 V, with 8.5 dB gain and 40% power added efficiency in the Ka-band. These are some of the highest power figures ever reported.
キーワード (和) Ka帯HPA / HEMT / 耐湿性 / TaN / Cat-CVD / / /  
(英) Ka-band / HEMT / humidity resistance / tantalum nitride / catalytic chemical vapor deposition / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 400, ED2005-166, pp. 45-49, 2005年11月.
資料番号 ED2005-166 
発行日 2005-11-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034)

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2005-11-17 - 2005-11-17 
開催地(和) 佐賀大学 
開催地(英)  
テーマ(和) ミリ波技術/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2005-11-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A High Humidity Resistance and High Power Density TaN/Au T-gate pHEMT for Ka-band Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ka帯HPA / Ka-band  
キーワード(2)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(3)(和/英) 耐湿性 / humidity resistance  
キーワード(4)(和/英) TaN / tantalum nitride  
キーワード(5)(和/英) Cat-CVD / catalytic chemical vapor deposition  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 天清 宗山 / Hirotaka Amasuga / アマスガ ヒロタカ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 清毅 / Seiki Goto / ゴトウ セイキ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 志賀 俊彦 / Toshihiko Shiga / シガ トシヒコ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 戸塚 正裕 / Masahiro Totsuka / トツカ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 肇 / Hajime Sasaki / ササキ ハジメ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 國井 徹郎 / Tetsuo Kunii / クニイ テツオ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 佳嗣 / Yoshitsugu Yamamoto / ヤマモト ヨシツグ
第7著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 晃 / Akira Inoue / イノウエ アキラ
第8著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥 友希 / Tomoki Oku / オク トモキ
第9著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 高英 / Takahide Ishikawa / イシカワ タカヒデ
第10著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
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講演者
発表日時 2005-11-17 14:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2005-166,IEICE-MW2005-121 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.400(ED), no.401(MW) 
ページ範囲 pp.45-49 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2005-11-10,IEICE-MW-2005-11-10 


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