講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-11-17 14:00
Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT ○天清宗山・後藤清毅・志賀俊彦・戸塚正裕・佐々木 肇・國井徹郎・山本佳嗣・井上 晃・奥 友希・石川高英(三菱電機) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-166 MW2005-121 |
抄録 |
(和) |
ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯pHEMT構造の高耐湿化を検討した。高出力FETのゲートバリア金属として使用されるWSi及びWSiNは耐湿性が低く、また低誘電率膜等の厚膜積層はゲート容量の増大をもたらす。これらを解決するため、今回我々は耐腐食性に優れるTaを使用したTaN/Auゲート構造、および防湿性に優れたCat-CVD法積層SiNx表面保護膜を適用したトランジスタを開発し、構造変更による特性劣化なく高湿保存1000時間後のId低下率が10%以下という高い耐湿性を確認した。開発トランジスタのKa帯パワー特性を評価した結果、Psat=0.8W/mm, Glp=8.5dB, PAE=40% (Vd=8V)と非常に良好な性能を確認できた。 |
(英) |
A 0.8 W/mm high power pHEMT with high resistance to humidity is reported. By using tantalum nitride as the refractory gate metal and a silicon nitride layer prepared by a catalytic chemical vapor deposition technique for passivation of this transistor, tough moisture resistance was obtained showing no Id degradation even after 1000 hours at 130 degrees centigrade and 85% humidity. Moreover, the Schottky breakdown voltage of the TaN gate is higher than that of a WSiN gate. A one-stage prematched amplifier with the new pHEMT has achieved 0.8 W/mm output power at Vd = 8 V, with 8.5 dB gain and 40% power added efficiency in the Ka-band. These are some of the highest power figures ever reported. |
キーワード |
(和) |
Ka帯HPA / HEMT / 耐湿性 / TaN / Cat-CVD / / / |
(英) |
Ka-band / HEMT / humidity resistance / tantalum nitride / catalytic chemical vapor deposition / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 400, ED2005-166, pp. 45-49, 2005年11月. |
資料番号 |
ED2005-166 |
発行日 |
2005-11-10 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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