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講演抄録/キーワード
講演名 2005-11-17 13:35
超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-165 MW2005-120
抄録 (和) サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FET)を集積化することによりK帯で動作するMMIC増幅器を開発した。GaN HFETのオーミックコンタクト層にSL構造を適用することにより0.4Ω・mm という低ソース抵抗値を実現した。そのDC/高周波特性は最大相互コンダクタンス(gm,max)400mS/mm以上、ft 、fmaxでそれぞれ60GHz、140GHzであり、K帯で動作可能であることを示した。サファイア基板上GaN MMICの高周波信号伝送にはコプレーナ型線路構造を用いた。そのMMICは20GHzから24GHzの帯域で小信号利得として13dBという広帯域特性とP1dBとして15.4dBmが得られた。さらにIIP3で7.5dBmの高い値が得られ、広いダイナミックレンジが求められるK帯の無線システムに適していることを実証した。 
(英) We have developed a K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifier by applying an AlGaN/GaN superlattice (SL) capped structure on sapphire substrate. Owing to the lowest (0.4 W· mm) source resistance of AlGaN/GaN HFETs, the HFETs exhibited excellent DC and RF characteristics, and sufficient ability to operate in the K-band frequency range is obtained. The fabricated MMIC with a CPW-line structure exhibited a small-signal gain higher than 10dB with a 3-dB bandwidth of 20-24.5 GHz and that of 13dB at 21.6GHz when biased at a supply voltage of 7 V. The 1dB compression point (P1dB) referred to output of 15.4dBm at 21.6GHz was obtained. This work is the first report of MMIC amplifier fabricated on sapphire successfully operating in the K band.
キーワード (和) AlGaN/GaN HFET / 超格子 / MMIC増幅器 / コプレーナ型線路 / サファイア / 炭化シリコン / ソース抵抗 / 2次元電子ガス  
(英) AlGaN/GaN heterojunction FET / superlattices / MMIC amplifiers / Coplanar waveguides / Sapphire / SiC / source resistance / two-dimensional electron gas  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 400, ED2005-165, pp. 39-43, 2005年11月.
資料番号 ED2005-165 
発行日 2005-11-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034)

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2005-11-17 - 2005-11-17 
開催地(和) 佐賀大学 
開催地(英)  
テーマ(和) ミリ波技術/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2005-11-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A K-band AlGaN/GaN HFET MMIC Amplifier on Sapphire using novel superlattice cap layer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN heterojunction FET  
キーワード(2)(和/英) 超格子 / superlattices  
キーワード(3)(和/英) MMIC増幅器 / MMIC amplifiers  
キーワード(4)(和/英) コプレーナ型線路 / Coplanar waveguides  
キーワード(5)(和/英) サファイア / Sapphire  
キーワード(6)(和/英) 炭化シリコン / SiC  
キーワード(7)(和/英) ソース抵抗 / source resistance  
キーワード(8)(和/英) 2次元電子ガス / two-dimensional electron gas  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西嶋 将明 / Masaaki Nishijima / ニシジマ マサアキ
第1著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 村田 智洋 / Tomohiro Murata / ムラタ トモヒロ
第2著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 裕 / Yutaka Hirose / ヒロセ ユタカ
第3著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 引田 正洋 / Masahiro Hikita / ヒキタ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 根来 昇 / Noboru Negoro / ネゴロ ノボル
第5著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 啓之 / Hiroyuki Sakai / サカイ ヒロユキ
第6著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto / ウエモト ヤスヒロ
第7著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 薫 / Kaoru Inoue / イノウエ カオル
第8著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ
第9著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 大助 / Daisuke Ueda / ウエダ ダイスケ
第10著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric)
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講演者
発表日時 2005-11-17 13:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2005-165,IEICE-MW2005-120 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.400(ED), no.401(MW) 
ページ範囲 pp.39-43 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2005-11-10,IEICE-MW-2005-11-10 


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