電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 115, Number 362

電子ディスプレイ

開催日 2015-12-14 / 発行日 2015-12-07

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目次

EID2015-9
高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製
○小尻尚志・諏訪智之・橋本圭市・寺本章伸・黒田理人・須川成利(東北大)
pp. 1 - 4

EID2015-10
DNAのMOSFETチャネル材料としての検討 ~ 非クーロンブロッケード/ステアケース現象 ~
○松尾直人・中村文耶・高田忠雄・山名一成・部家 彰(兵庫県立大)・横山 新(広島大)・大村泰久(関西大)
pp. 5 - 7

EID2015-11
超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用
○番 貴彦・上沼睦典(奈良先端大)・右田真司(産総研)・石河泰明・山下一郎・浦岡行治(奈良先端大)
pp. 9 - 12

EID2015-12
NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布
○西 佑介・木本恒暢(京大)
pp. 13 - 17

EID2015-13
ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果
○大木康平・日下部昂志・松尾直人・部家 彰(兵庫県立大)
pp. 19 - 22

EID2015-14
a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性
○平野翔大・部家 彰・松尾直人(兵庫県立大)・河本直哉(山口大)・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹(USHIO)
pp. 23 - 26

EID2015-15
RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦(龍谷大)
pp. 27 - 30

EID2015-16
ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価
○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦(龍谷大)
pp. 31 - 34

EID2015-17
IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化
○宮村祥吾・志賀春紀・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜(龍谷大)
pp. 35 - 38

EID2015-18
CrSiNの磁気特性測定
○志賀春紀・宮村祥吾・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜(龍谷大)・廣島 安(KOA)
pp. 39 - 42

EID2015-19
薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性
○西村勇哉・原 明人(東北学院大)
pp. 43 - 47

EID2015-20
SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦(龍谷大)
pp. 49 - 52

EID2015-21
低温Poly-Si TFTの赤外線照射に対する電流特性評価
○北島秀平・木藤克哉・松田時宜・木村 睦(龍谷大)・井上昌秀(華為技術日本)
pp. 53 - 56

EID2015-22
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ~ TFTのin vitro実験 ~
○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村 睦(龍谷大)
pp. 57 - 60

EID2015-23
簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークのFPGAによる動作検証
○中村奈央・森田竜平・古我祐貴・中西弘樹・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦(龍谷大)
pp. 61 - 64

EID2015-24
超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発 ~ FPGAと可変抵抗による動作検証 ~
○中西弘樹・森田竜平・古我裕貴・中村奈央・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦(龍谷大)
pp. 65 - 68

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会