Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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CPM2015-103
RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討
○荒木 努・武馬 輝・増田 直・名西やす之（立命館大）・織田真也・人羅俊実（FLOSFIA）
pp. 1 - 4
CPM2015-104
微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール
○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大）
pp. 5 - 9
CPM2015-105
AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
○安井大貴・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩谷素顕・赤崎 勇（名城大）・天野 浩（名大）
pp. 11 - 14
CPM2015-106
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性
○小島一信（東北大）・塚田悠介（三菱化学）・古川えりか・斉藤 真（東北大）・三川 豊・久保秀一・池田宏隆・藤戸健史（三菱化学）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大）
pp. 15 - 19
CPM2015-107
ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析
○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大）
pp. 21 - 25
CPM2015-108
ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価
○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地 徹・上杉 勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田 淳（京大）
pp. 27 - 32
CPM2015-109
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性
○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大）
pp. 33 - 37
CPM2015-110
1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発
○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）
pp. 39 - 42
CPM2015-111
［招待講演］AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価
○秩父重英（東北大）・三宅秀人・平松和政（三重大）
pp. 43 - 48
CPM2015-112
光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定
○河上航平・中納 隆・山口敦史（金沢工大）
pp. 49 - 52
CPM2015-113
光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定
○中納 隆・河上航平・山口敦史（金沢工大）
pp. 53 - 58
CPM2015-114
多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光
○石戸亮祐・石井良太・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 59 - 62
CPM2015-115
アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用
○岡本晃一・立石和隆・川元 駿・西田知句・玉田 薫（九大）・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 63 - 68
CPM2015-116
Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source
○P.Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahammad・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ）
pp. 69 - 72
CPM2015-117
ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性
○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 73 - 76
CPM2015-118
Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性
○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大）
pp. 77 - 80
CPM2015-119
GaN系THz-QCLの最近の進展
○寺嶋 亘・平山秀樹（理研）
pp. 81 - 84
CPM2015-120
無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性
○定 昌史・平山秀樹（理研）
pp. 85 - 88
CPM2015-121
m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性
○大島一晟（埼玉大/理研）・定 昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研）
pp. 89 - 93
CPM2015-122
表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大）
pp. 95 - 99
CPM2015-123
スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価
○野中翔一郎・古川昭雄（東京理科大）・牧田紀久夫・水野英範・菅谷武芳・仁木 栄（産総研）
pp. 101 - 104
CPM2015-124
GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果
○柴 麗・梁 剣波・重川直輝（阪市大）
pp. 105 - 110
CPM2015-125
表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性
○林 朋宏・梁 剣波（阪市大）・新井 学（新日本無線）・重川直輝（阪市大）
pp. 111 - 115
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．