Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2015-71
［招待講演］イオン注入技術の現状と課題
○中島良樹・濱本成顕・酒井滋樹・おの田 博（日新イオン機器）
pp. 1 - 6
SDM2015-72
Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討
○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）
pp. 7 - 12
SDM2015-73
Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術
○諏訪智之・寺本章伸・後藤哲也・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 13 - 16
SDM2015-74
Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface
○Tetsuya Goto・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Toshiki Obara・Daiki Kimoto・Shigetoshi Sugawa（Tohoku Univ.）・Yutaka Kamata・Yuki Kumagai・Katsuhiko Shibusawa（LAPIS Semi. Miyagi）
pp. 17 - 22
SDM2015-75
［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA
○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝）
pp. 23 - 28
SDM2015-76
［招待講演］マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術
○上田博一（TEL TDC）・ピーター ベントゼック（TEL AMERICA）・岡 正浩・小林勇気・杉本靖広・川上 聡（TEL TDC）
pp. 29 - 33
SDM2015-77
トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討
○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・小尻尚志・須川成利（東北大）
pp. 35 - 40
SDM2015-78
酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術
○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大）
pp. 41 - 44
SDM2015-79
［招待講演］大画面シート型ディスプレイ実現に向けたディスプレイ材料・プロセス技術
○藤崎好英（NHK）
pp. 45 - 48
SDM2015-80
HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大）
pp. 49 - 52
SDM2015-81
窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成
○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 53 - 56
SDM2015-82
Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering
○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
pp. 57 - 62
SDM2015-83
高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討
○杉田久哉・幸田安真・諏訪智之・黒田理人・後藤哲也・石井秀和（東北大）・山下 哲（フジキン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 63 - 68
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．